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英特尔为市场上大部分的个人电脑提供 CPU，但由于 PC 的销售增长不再如以前那样迅猛，英特尔也不得不投身到数据中心处理器、内存芯片和网络芯片等更广阔的市场，这也让英特尔面临更多的竞争。
在 10nm 芯片研发和量产上，英特尔拖延了数年，最终台积电（TSMC）抢先量产了 7nm，失去了自己在这一领域的领先地位。在昨天的英特尔投资者日上，英特尔首席执行官 Bob Swan 和 Murthy Renduchintala 谈及了公司在制造方面的新进展，并总结了经验和教训。
早在 2013 年，英特尔就设想通过 2.7 倍密度的 SAQP、COAG、Cobolt 互连，以及 EMIB 和 Foveros 等新的封装技术，让 10nm 芯片成功接过 14nm 芯片的接力棒。
然而，英特尔方面在昨天坦然承认，当年的设想过于自信，而且团队之间也没有明确目标，最终导致管理混乱，计划也不能如期进行。
这些细节迫使英特尔 10nm 纳米芯片计划一拖再拖。最终，英特尔宣布，将于 2019 年推出 10nm 芯片。
到目前为止，英特尔 14nm+ 和 14nm++ 的制程性能均提升了 20% 以上（从 Broadwell 到 Whiskey Lake）。因此，英特尔为将来的节点内优化做好了准备，还调整了相应的路线图。Murthy 明确表示，英特尔希望在新制程开始时，重新让摩尔定律为公司带来增益。
英特尔将在 2019 年和 2020 年重磅推出多种 10nm 产品，涵盖至强处理器、GPGPU 通用加速处理器、AI 推理、FPGA、5G/网络等，尤其是备受期待的 10nm Ice Lake。
Ice Lake 的性能提升，包括 2 倍图像性能、AI 性能 2.5-3 倍、视频编码性能 2 倍、无线性能 3 倍，英特尔还首次公开了 Ice Lake 的架构图（上图）。
如上图所示，英特尔表示将在 2021 年生产并推出一款 7nm 产品。对于一家在 10nm 方面备受困扰的公司来说，推出 7nm 听起来似乎十分不切实际。然而，推出 7nm 的计划确确实实出现在了英特尔的工艺路线图当中，路线图还显示，10nm （包括 10nm+ 和 10nm++）的生命周期都比 14nm 系列要短得多。
不过，从上图我们也可以得知，英特尔认为自家的 14nm、10nm、7nm 分别相当于台积电的 10nm，7nm、5nm。然而，台积电的 5nm 将于明年（2020）推出，这就从某种程度上说明，英特尔承认了自己的制程落后于台积电。
实际上，我们可以这么看，英特尔的 7nm 将是将 10nm 的升级。同时，英特尔会像现在的 14nm 一样，持续对每一代新工艺持续进行优化，也就是会继续出现很多 +++ 版本，但不会像台积电、三星一样直接进化成新名字（11nm/8nm/6nm）—— 10nm 今年上阵，明后年将接连出现 10nm+、10nm++；7nm 2021年登场，2022年、2023 年则连续推出 7nm+、7nm++。
根据上图我们可以得知，英特尔希望实现 2 倍扩展（摩尔定律）；计划将节点内优化作为路线图的一部分；英特尔还试图减少设计规则，这应该有助于计划的执行；7nm 也将是英特尔与 EUV 交叉的领域，可能会将 7nm 引入下一代 Foveros 和 EMIB 封装技术。
上图展示了一个以 PC 为中心的单片芯片和一个基于 Foveros 和 EMIB 的多模数据中心芯片。英特尔芯片和封装团队表示，我们将看到 Foveros 和 EMIB 的组合，特别是 GPU。
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英特尔 2021 年的首款工艺产品不是 CPU 处理器，而是 GPU 显卡，确切地说是基于 Xe 架构、采用 EMIB 2D 整合封装和 Foveros 3D 混合封装、面向数据中心 AI 和高性能计算的 GPGPU 通用计算加速卡。
英特尔还强调，除了不断研发新工艺，封装技术方面也会持续演进，并针对不同应用划分，比如 PC 领域主要还是注重单芯片封装，而数据中心领域会针对不同 IP 优化不同工艺，并且注重多芯片封装。
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