数字电子技术基础初学者通识课程可跟B站上海交通大学郑益慧教授主讲电子技术基础课程。现将配套使用笔记发布如下，文件版可私信领取，时间紧迫，顺序混乱，还请海涵：
基础概念合集
接上文----戴维南等效定理
放大倍数
通频带
非线性失真，最大不失真输出电压，最大输出功率与效率，P12放大电路分析方法
直流通路与交流通路，直流通路，交流通路：直流电源置零，电容短路
图解法
等效电路分析方法
1.直流通路—Q点，rbd
P13 H参数
共集电极放大电路----射极跟随器，P16，P17场效应管放大电路，晶体管放大电路派生电路
，复合管放大电路（达林顿管）
共射-共基放大电路
共集-共基放大电路
电子管（1904年）——电子技术的时代开始了
三极管（1906年）——电子技术工业gm的开始
集成电路的发展——半导体技术的发展，晶体管集成运算放大器，反馈电路。
从器件的基本特性来设计电路。———这是比较高级的。
模拟电路和数字电路——AD转换这桥梁
02-PN结的形成 P2 - 13:12参入少量，但远高于原来浓度，虽然参入少量，载流子的浓度远高于原来的本征半导体的浓度。，02-PN结的形成 P2 - 16:01温度对于载流子的影响，
温度对于多子的影响不大，因为多子本来就很多了；但对于少子的影响非常的大。半导体器件和少子相关则受温度的影响就很大。——想问题想一个关键性。N型半导体——参入P，因为其贡献了电子，称其为施主原子。02-PN结的形成 P2 - 20:41P型半导体
参入硼（B）
02-PN结的形成 P2 - 23:08PN结
扩散运动——浓度高的地方到浓度低的地方，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散
——形成了PN结（空间电荷区）（耗尽层）（阻挡层），飘移运动——少子在耗尽层力作用下的运动
02-PN结的形成 P2 - 36:25PN结的单向导电性
加正向电压：外电场消耗了内电场（相当于堤坝被高度下降了，可以看下图）——扩散运动重新恢复（加入限流电阻）
加反向电压：耗尽层加宽（但此时的漂移运动加强了，但电流量很小）
PN结的电流方程：
Is：反向饱和电流，UT：温度当量，与温度相关。常温下UT=26mv，U：外加电压
导通电压：Ge管0.2-0.3v si管0.6-0.7V，二极管正向导通电流呈指数型增长
03-PN与二极管的特性 P3 - 02:52反向击穿
雪崩击穿：掺杂浓度低时—温度越高，击穿电压越高——链式反应
达到一定的程度就由电击穿转向热击穿，只要没有到到达热击穿，则都是可逆的，齐纳击穿：掺杂浓度高时—温度越高，击穿电压越低，击穿电压高于6V为雪崩击穿，低于6V为齐纳击穿，电流过大，导致温度过高，就把PN结烧坏了。反向击穿可以用来稳压03-PN与二极管的特性 P3 - 17:28PN结的电容效应
势垒电容——非线性
扩散电容——非平衡少子和电压之间的关系
电压升高的时候达到浓度2这根线；电压降低是达到3这根线。
03-PN与二极管的特性 P3 - 23:39半导体二极管
03-PN与二极管的特性 P3 - 30:57二极管的伏安特性
体电阻的存在，正向电流比PN结小一些；反向电流大一些，室温下，每上升1度，正向压降减小2-2.5mv，每升高10度，反向电流增加1倍，二极管的作用：整流、稳压管（钳制电位）、温度传感器（反向电流的改变对于温度比较敏感），04-二极管的直流等效电路 P4 - 05:10二极管的主要参数
1、IF：最大整流电流（二极管工作时通过的电流值）
2、UR：最高反向工作电压
3、IR：反向截止电流
4、fM：最高工作频率（选择高频电路的二极管时要考虑）
04-二极管的直流等效电路 P4 - 16:38二极管的等效电路
a：理想二极管
b：把导通电压Uo分离出来（使用最多）
c：考虑了二极管的电阻
限幅电路——一导通就限制了幅值
Ui的值比较小，这时候加一个大的直流电压V，使得二极管导通。这个时候在输出端就可以检测到Ui的值。看下图
