数字电子技术基础初学者通识课程可跟B站上海交通大学郑益慧教授主讲电子技术基础课程。现将配套使用笔记发布如下，文件版可私信领取，时间紧迫，顺序混乱，还请海涵：
基础概念合集
接上文----二极管限幅电路
P5
rd 动态电阻 与静态工作点，温度相关，rd=UT/Id，二极管微变等效，1.分析二极管直流静态工作点，2.由静态工作点推出Rd’ rd=UT/Id
P5稳压二极管
特点：工作在反向击穿电压下，电流变化很大，电压变化很小。
稳压二极管参数，α 温度系数
P6 BJT结构与与原理
发射区E,基区B 集点去C，E:发射载流子，C:收集载流子，B:控制发射，电流放大作用
基本功射放大电路
内部载流子运动
发射结正偏，发射区的自由电子向基区扩散，同时基区空穴也向发射区扩散。由于E区电子多，自由电子多。IEN>>IEP IB=IBN+IEN，基区–>扩散，复合，产生集电区手机自由电子，共基极电路α=IC/IE略等于1
P7
共射特性曲线
为什么？
截止区 ICE穿透电流
饱和区Uce数值非常小，两个结都正偏，只有一个饱和压降。
三极管参数温度的影响
输入特性
温度升高1度，正向压降降低2-2.5mV
输出特性
温度升高，IC增大；
光电三极管
P8场效应管，单极性多子参与导电，温度稳定性比较好，结型场效应管，绝缘栅型场效应管（MOSFET） 1962年问世
N沟道增强型MOS管
S源极 D漏极 S载流子发源地 D 载流子漏出
UGS增加一点电压，形成耗尽区 ，继续增加电压形成反型层 ，建立沟道 N型沟道 自由电子
沟道大小，决定电阻大小，电压控制的可变电阻器 Rds，开启电压 Ugsth
预夹断
可变电阻区，恒流区增强：UGS>UGSTH才能导通
箭头向里面指向里指 ，指向N所以叫N沟道；反之P沟道。耗尽型 天生形成沟道，需要提供关断电压，结型模式管 控制电压<0，场效应管的特性曲线与参数
转移特性曲线
参数、直流参数、Ugsth Ugsoff IDSS Rgs、交流参数、跨导 Gm、极间电容 pF级别
P10基本放大电路的构成
P11放大电路性能指标
放大电路工作原理
放大电路性能指标
戴维南等效定理
输入电阻越大越好，
输出电阻越小越好。
