英特尔已经推出了自己的首款3D NAND SSD，升级了三款NVMe SSD，有4个型号，并宣称拥有业界密度最高的3D NAND。
现有的DS P3500、P3600和P3700产品采用20纳米MLC闪存技术，P3500和P3600是在2014年6月推出，P3700是在去年9月推出，一同发布的还有P3608（一个SSD包中有两个P3600）。
DC P3500（DC的意思是数据中心）被P3320和即将推出的P3500取代，现有的P3600和P3700将被DC D3600和DC D3700取代。
这里英特尔说的最高密度，是英特尔/美光浮栅单元技术的Gb/mm2要高于SanDisk和三星的电荷捕获技术。最终芯片的密度是否要高于三星——目前唯一出货3D NAND的提供商——则是另一回事。
我们不能想当然地认为英特尔的3D NAND芯片密度高于三星的V-NAND芯片（目前是48层，256Gbit）。三星上一代的3D V-NAND采用32层，128Gbit芯片。英特尔目前还没有公布自己3D NAND芯片的容量。
不管是英特尔，还是它的晶圆合作伙伴美光，都公布了单元光刻纳米测量，但显然要大于所取代的20纳米MLC平面技术。英特尔说，P3320/3520采用TLC NAND。
英特尔已经提供了多数新产品的读写性能数据，但是没有公布延迟或者寿命，这引发了一个问题，这些新产品是否要比它们替代的产品更好？（一个X-IO性能笔记称，800GB D3700支持每天10次驱动器写入。）
总的来说，英特尔称自己的3D NAND提供了1.3倍的读写次数。下面这个表格罗列了新老产品的一些基础细节：
绿色行是新产品
DC P3500被相同容量的DC P3320和DC P3520取代，P3520听起来显示P3320，但是目前阶段英特尔并没有提供任何性能数据，只说它的性能和延迟要显著高于P3320。
英特尔表示，D3600和D3700是首款双动双端口NVMe SSD，提供了性能上的突破。英特尔表示，双端口可实现高可用的存储控制器。
性能
让我们来看看以下数据：
绿色行是新产品
我们实在不能认同性能突破这个说法，如果对比P3600和D3600的话。D3600的随机IO性能表现要由于P3600，但是连续IO性能要差一些。D3700的随机写性能和连续IO性能要比P3700差，只在随机读IO方面占优。
P3320要比P3500慢，P3520可能接近P3500或者略快一些。英特尔表示，三款驱动器提供了最佳的IOPS价值。英特尔将P3320定位为读密集型的“暖”存储，听起来像是类似近线磁盘存储的闪存。P3520主要针对在线和超融合系统使用实例。
英特尔宣称，这两款新的SSD在所有IO共享中最高占有98%，相同的性能特点，生命周期内性能降低小于5%。
X-IO Technologies提供了SAS SSD与P3700产品对比的一些性能数据*。
看起来不错，但这并不是同等的对比，而是把NVMe SSD与SAS SSD进行对比。
现在X-IO有新升级的ISE，采用DC D3700 SSD的产品。
总结
英特尔没有提供这些3D NAND SSD的容量更新，性能改进也只是针对随机读写，而不是连续IO，这一点并不令人印象深刻；何必呢？我们想像一下，3D NAND产品是（或者将要）比同等容量的磁盘产品便宜，而且第二代3D NAND将提高容量，也许是2倍或者3倍。
这些3D闪存SSD并不是英特尔在这个竞争激烈的领域放出的第一弹。让我们看看WDC/SanDisk以及东芝的产品，看看他们和英特尔是否可以在容量方面赶超三星。
* X-IO存储阵列系统采用Xeon E52699v3，40个英特尔DC D3700 10 DWPD 800GB，还有存储阵列系统采用至强E52699v3，40个SAS 10 DWPD 400GB SSD。在共享存储阵列的QD 1,2,4访问1卷上，测试80/20 Read/Write工作负载的-8K传输。测量工具是IOMeter。
原文发布时间为： 2016年04月01日
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