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1.差模电压放大倍数AVD,它体现了集成运放的电压放大能力,一般在104∼ 107之间。 AVD越大,电路越稳定,运算精度也越高。理想集成运放要求AVD=∞。 2.差模输入电阻Rid=∞,输出电阻RO=0。 3.开环共模增益AOC,指集成运放本身的共模增益,它反映集成运放抗温漂、抗共模干扰的能力。理想集成运放要求AOC=0。
(1)串联负反馈的定义:反馈网络与放大电路输入端串联,反馈以电压比较的形式出现。 (2)并联负反馈的定义:反馈网络与放大电路输入端并联,反馈以电流比较的形式出现。
输入级:采用差分放大电路,目的是抑制零漂现象; 中间级:采用共射放大电路,目的是提高电压放大倍数; 输出级:采用射极输出器,目的是提高电路带负载能力
①电压放大倍数:是指放大电路输出电压有效值与输入电压有效值之比。 ②电流放大倍数:是指放大电路输出电流有效值与输入电流有效值之比。 ③功率放大倍数:是指放大电路输出功率有效值与输入功率有效值之比。 ④输入电阻:是指放大电路输入端看进去的等效电阻,对信号源来说,就是负载。输入电阻定义为输入电压有效值与输入电流有效值之比, ⑤输出电阻:是指从放大电路输出端看进去的等效电阻。输出电阻越小,输出电压随负载变化越小,放大电路带负载能力越强。
主要用于放大电路、开关电路。 2.三极管的结构与类型 (1)结构:三极管有两个PN结(集电结、发射结)、三个区(集电区、基区、发射区)、三个电极(集电极、基极、发射极)组成。如图所示:
用晶闸管组成的整流电路可以把交流电路变换成大小可调的直流电,称为可控整流。
1.一般地,具有PNPN四层三结结构的器件是晶闸管。严格来说,根据国际电工委员会(IEC)的标准定义,具有3个或者3个以上PN结,其伏安特性至少在一个象限内具有导通和阻断两个稳定状态,并可以在两个状态之间进行切换的电力半导体器件为晶闸管。又称为(可控硅)。晶闸管可以分为很多类型,比如内部存在反并联二极管的逆导型晶闸管(RC-Thyristor),电流可双向控制导通的双向晶闸管(TRI-AC),门极关断晶闸管(GTO)和门极换流晶闸管(GCT)等。在实际应用,一般将普通的具有双向阻断能力、只能控制正向导通的半控型晶闸管,直接称为晶闸管,或者SCR(硅控整流器),而其他类型晶闸管根据它们的功能和特
①在并联型稳压电路中,一定要注意电源的极性,保证二极管工作在反向击穿区。 ②限流电阻必须串联使用,它有两个作用: (a)使稳压管电流不超过允许值,保护二极管(限流)。 (b)通过它两端电压升降自动调节电压,使输出电压稳定(调压)。
(1)外热式电烙铁 ①结构:由烙铁头、烙铁芯、外壳、木柄、电源线及引线插头组成。 ②规格:25W、45W、75W、100W、150W等(功率越大,烙铁头的温度就越高) (2)内热式电烙铁 ①结构:由烙铁头、烙铁芯、外壳、木柄、电源线及引线插头组成。 ②规格:20W、30W、50W等。 ③内热式电烙铁效率高,20W内热式电烙铁相当于40W左右外热式电烙铁。
(1)单相全波整流电路实际上是两个单相半波整流电路的合成,负载上得到的电压是两个交流电的不同半周。 (2)单相桥式整流电路中,四个二极管分为两组轮流导通,相对桥臂为一组,导通的两个二极管串联,截止的两个二极管并联。 3.整流器件的选择: (1)最大整流电流:选择二极管时,要求:流过二极管的电流≤最大整流电流。
(1)定义:导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质,称为半导体。常用的半导体材料是硅和锗。 (2)敏感特性:半导体的导电能力对温度、光照、磁场、电场等很敏感。 (3)导电特征: ①纯净的半导体中的半导体中自由电子、空穴数目相等且数量少,导电能力极差。(所以使用“掺杂”特性) ②自由电子、空穴同时参与导电,这是半导体区别于导体的重要导电特征。