一、半导体三极管
1.作用
主要用于放大电路、开关电路。
2.三极管的结构与类型
（1）结构：三极管有两个PN结（集电结、发射结）、三个区（集电区、基区、发射区）、三个电极（集电极、基极、发射极）组成。如图所示：
（2）类型与符号：如图所示，分为PNP型和NPN型两类。发射极箭头方向表示发射结正偏时电流的方向。
三极管的文字符号：VT
注意：两只二极管并不能构成一只三极管，三极管的发射结可作为一般的二极管使用。
3.三极管的电流放大作用
（1）条件：三极管发射结正偏，集电结反偏。
即：NPN型管的管脚电位必须符合VC＞VB＞VE；PNP型管的管脚电位必须符合VC＜VB＜VE
（2）电流放大作用：三极管电流放大作用的实质是：微小的基极电流变化量ΔIB控制较大的集电极电流变化量ΔIC。
三极管的电流放大能力，可以用共射直流电流放大倍数
和共射交流电流放大倍数β来反映，即：
β和
近似相等，故经常用表示三极管的共射放大倍数。
（3）三极管各极间的电流关系
分配：
，由于
，所以
放大作用：
4.输入特性曲线
（1）定义：当
一定时，基极电流
随电压
变化的关系曲线。
（2）特性曲线：如图所示，其形状与二极管的正向伏安特性相似。
①发射结存在死区，
小于死区电压时，
=0，三极管截止。死区电压：硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。
②
大于死区电压时，发射结正向导通，
剧增，三极管导通，发射结电压变化不大，硅管约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V。这是判断硅管与锗管的重要依据，也是判断三极管是否工作在放大状态的依据。
③
＜1V时，
的变化对
有影响；当
≥1V后，
与
几乎无关。
5.输出特性曲线
（1）定义：当基极电流
为某一固定值时，输出回路中的电流
与集射电压
之间的关系曲线。
（2）特性曲线：如图所示，
（3）特点：如表所示，
【注意】：三极管作放大器件使用时，工作在放大区；作开关器件使用时，工作在截止区和饱和区。
二、晶体管的主要参数
1.共射极电流放大系数：共射直流放大系数
和共射交流放大系数
。同一个晶体管在相同的工作条件下，
≈
。选用管子时，
值应恰当，
值太大管子工作稳定性差。
2.极间反向饱和漏电流：
（1）
：当发射极开路，集电极与基极间的反向电流。
（2）
：当基极开路、集电结反偏、发射结正偏时，集电极与发射极间的反向电流，又称穿透电流。
（3）
和
的关系：
=（1+β）
，二者都随温度的升高而增大。
越小，管子性能越稳定。硅管穿透电流比锗管小，故硅管比锗管稳定性好。在选用管子时应选反向饱和电流小的管子。
3.极限参数：是指晶体管在工作时所允许的最大电流、最大电压和功率的极限数值。
（1）集电极最大允许电流
：当
过大时，β将下降，在技术上规定，使β下降到额定值的
的集电极电流称为集电极最大允许电流。
要求：实际集电极电流小于
，否则β将下降。
（2）集—射极反向击穿电压
：基极开路时允许加在集、射极之间的最大反向电压称为集—射极反向击穿电压。若
＞
，管子将会被击穿而损坏。
（3）集电极最大允许耗散
：管子实际功率
，若
，管子将过热而烧坏。
三、晶体管的型号
见表：
四、三极管的种类及应用
见表：
五、晶体管质量、管型管脚的判定
1. 三极管基极和类型判断
将万用表置于R×1k挡。用万用表的第一根表笔依次接三极管的一个引脚，而第二根表笔分别接另两根引脚，以测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当第一根表笔接某电极，而第二根表笔先后接触另外两个电极均测得较小电阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。如果接基极b的第一根表笔是红表笔，则可判定三极管为PNP型；如果是黑表笔接基极b，则可判定三极管为NPN型。测量方法如图所示。
2.晶体管质量的判别
利用万用表测量集电结、发射结的正反向电阻；正常情况下，两个结的正反向电阻相差很大，若正反向电阻相差很小，说明晶体管损坏。
