如何创建一个Flash 算法文件？

1、配置算法初始信息

要在CDK 中制作一个特定芯片的方案，需要通过New SOC Project 创建一个Flash 类型的CDK 工程。

此时Project Type 选为Flash，并在RAM1 中填写SmartL 的RAM 区域。CPU 和对应SDK 的CPU 要完全一致。

完成工程创建以后，工程视图显示内容如下：

FlashDev.c 文件用来对算法基本信息进行描述。

将默认的内容修改为SmartL 硬件信息相匹配即可。

2、实现算法接口

Driver.c 文件用来实现算法逻辑，针对具体的硬件信息，实现对应的接口。

3、调试算法逻辑

main.c 文件是算法工程的主控逻辑，main 函数完成此功能。

CDK 通过下载此算法工程到芯片RAM 的g_rwBuffer[]数组中，然后通过控制g_func，g_dstAddress，g_length，g_checksum 这些全局变量，实现对特定Flash 器件的编程功能。这里需要调试算法文件，就是模拟整个烧写的过程，将每个函数调试通过即可。

为了能够更方便的调试算法文件，右击算法工程，在Compiler 配置中，修改Optimization修改为-O0 ，然后再次编译算法工程。

双击工程视图的算法工程节点，设置为active project，然后点击调试按钮，启动调试，运行到main 函数以后，全速运行，发现算法文件停止在__bkpt_label 函数处。

然后，我们这里根据调试需求，设置相应的全局变量，进行验证。

例如，这里我们调试flashProgram 接口的正确性，首先在CDK Watch 界面将g_func设置为1，g_dstAddress 设置为要进行编程的Flash 区域的地址，g_length 设置为要烧写的数据长度，g_rwBuffer 设置为具体的烧写数据内容，一般来说，对于调试，g_length数据量不需要太长。

这里我们设置向Flash 区域0x0—0x8 区域烧写0x1,0x2,0x3,0x4,0x5,0x6,0x7,0x8 特征数据，来验证算法文件的正确性。CDK 中设置好这些变量以后，把PC 的值设置为当前lr（r15）的值，然后点击单步运行。

点击单步运行，程序运行在main.c 文件的flashProgram 入口，然后通过常规的调试手段，进入该函数内部，运行函数完成以后，验证是否正确烧写。

按照上述手段，分别验证每个函数的正确性即可。

4、配置算法文件到SDK 工程

当完成整个算法文件调试以后，为了更好的提升算法文件的性能，这里我们将算法工程的Compiler 编译选项由-O0 修改为-O2 ， 然后重新编译， 编译完成以后， 将SmartL_Flash 工程根路径下Obj/目录中生成的SmartL_Flash.elf 算法文件copy 到my_solution 工程使用的SmartL_Chip 组件的目录中去，CDK 工程视图右击菜单OpenContaining Folder 选项，可以直接打开工程、组件所在的目录。

然后在工程视图SmartL_Chip 组件节点的配置窗口中，配置SmartL_Flash.elf 作为算法文件。

【情况1】

对于没有使用芯片组件或者使用旧版本的组件的情况，则需要将SmartL_Flash.elf 拷贝到my_solution 工程根路径下（与my_solution.ckdproj 文件同目录），然后在工程配置的Flash Tab 的算法选择中，选择该组件即可。

以上内容摘自《平头哥剑池CDK快速上手指南》电子书，点击https://developer.aliyun.com/topic/download?id=1072可下载完成版