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东芝/IBM/AMD共同开发全球最小SRAM单元

简介:
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 东芝、IBM和AMD三家公司今天共同宣布,他们已经使用High-K金属栅极材料,合作开发出了全球最小的SRAM单元,基于FinFET鳍式场效应管结构,面积仅有0.128平方微米。

在此之前,全球最小的SRAM单元面积约为0.274平方微米,而三家公司利用FinFET的立体结构优势,将SRAM的体积缩减了一半以上,达到0.128平方微米。三家公司在美国旧金山当地时间12月16日举行的2008国际电子设备会议上,共同宣布了这项成果。

在通常的平面结构下,半导体厂商为缩小SRAM单元体积,往往采用调整掺杂成分的方式实现。但这种方式可能会影响SRAM工作的稳定性,而在采用22nm甚至更新制程时,问题会更加突出。FinFET立体结构于是应运而生,解决了摆在进一步提高SRAM元件密度道路上的一大障碍。

此次为制造出全球最小的FinFET SRAM,三家公司对制造工艺进行了精细的改进,采用了High-K金属栅极技术,并对掺杂和去除工艺进行了调整。另外,他们还对未来若使用FinFET结构制造更小的SRAM效果进行了考察。根据他们的模拟,采用不掺杂FinFET结构制造的SRAM半导体特性偏差值改善了28%。而未来若使用22nm甚至更高工艺制造出面积为0.063平方微米的FinFET SRAM,在稳定性方面也将远远优于平面结构。

 
作者:Skyangeles
来源:51CTO

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