数字电子技术基础初学者通识课程可跟B站上海交通大学郑益慧教授主讲电子技术基础课程。现将配套使用笔记发布如下，文件版可私信领取，时间紧迫，顺序混乱，还请海涵：
基础概念合集
接上文----限幅电路
求切点的斜率
05-二极管的微变等效和稳压二极管 P5 - 11:10二极管的微变等效
1、只加直流电时的电流ID，求出电阻rD
05-二极管的微变等效和稳压二极管 P5 - 21:15稳压管
反向特性（需要散热，防止温度过高而造成热击穿）
主要参数：温度系数——每变化一度，UZ的变化量，UZ：稳定电压
要判断稳压二极管是否击穿了发光二极管。06-双极晶体管的结构与放大原理 P6 - 00:362、晶体管，双极晶体管——BJT06-双极晶体管的结构与放大原理 P6 - 02:32结构及类型
一、构成类型
e：发射载流子（掺杂浓度高）b：控制端（掺杂浓度低，很薄）c：收集载流子（掺杂浓度低，面积大）电流的放大作用（这个作用很重要）
基本共射放大电路
06-双极晶体管的结构与放大原理 P6 - 24:57晶体管内部载流子的运动
发射结正偏：发射区的电子向基区扩散，集电结反偏：，发射极：发射电子，基极：吸收少量电子，复合，集电极：收集电子，放大系数：（共射极）
ICEO：穿透电流（当IB=0时）
07-BJT特性曲线共射 P7 - 01:20BJT共射特性曲线
一、输入特性
二、输出特性
截至区：双结反偏，c、e断路，饱和区：双结正偏，c、e开关的闭合
07-BJT特性曲线共射 P7 - 34:59三极管的主要参数
对温度的影响
输入特性
输出特性
其他类型的三极管
08-MOS管的工作原理 P8 - 03:48场效应管（FET）
1、结型场效应管
2、绝缘栅型场效应管（MOSFET）
一、N沟道增强型MOS管
1、结构
绝缘层——非常的薄（相比与三极管就减少了损耗）
g：栅极（控制极）s：源极（载流子的发源地）d：漏极（载流子的漏出处）
2、工作原理
UGS加电压，使得绝缘层的空穴被往下挤出来，称低的电子被吸上去，这样就形成了发型层（N沟道），使得s极和d极连通了。（N沟道越宽，s与d极之间的电阻越小）
UGS（th）：开启电压（N沟道是否形成）
由图a到图c：UDS不断增大。预夹断：UGS—UDS=UGS（th）时
随着UDS增大，最终会恒流，此时的电流由UGS来控制。08-MOS管的工作原理 P8 - 44:08N沟道耗尽型MOS管
天生有沟道
UGS（off）：夹断电压（使得沟道关闭），09-结型场效应管和特性 P9 - 00:23结型场效应管
N沟道的结型场效应管
09-结型场效应管和特性 P9 -
UGS加压，使得N沟道减小
UGS不能大于0，09-结型场效应管和特性 P9 - 18:57场效应管的特性曲线和参数
一、特性曲线
1、转特性曲线
2、输出特性曲线
二、场效应管的参数
（一）直流参数：UGS（th）UGS（off）IDSS：RGS（DC）
（二）交流参数
1、跨导（低频时）
