SRAM（Static Random-Access Memory）和DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是计算机中两种常见的存储器类型。它们在工作原理、性能特征和应用领域上存在着明显的区别。下面将详细介绍SRAM和DRAM之间的区别。
工作原理：
SRAM：SRAM是一种基于触发器的存储器，使用稳定的存储电路来存储和保持数据。每个存储单元由一个存储器单元和控制电路组成，其中存储器单元由多个触发器构成，能够存储比特数据。由于采用了触发器结构，SRAM在不断刷新的过程中保持数据的稳定性。
DRAM：DRAM是一种基于电容的存储器，使用电容来存储和表示数据。每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。电容在存储器中充电或放电来表示数据的0和1。由于电容会逐渐漏电，DRAM需要定期刷新以保持数据的正确性。
存储密度：
SRAM：由于SRAM采用了稳定的存储电路，每个存储单元需要更多的晶体管来实现，因此SRAM的存储密度相对较低。每个存储单元通常需要6个晶体管。
DRAM：由于DRAM采用了电容存储结构，每个存储单元只需要一个电容和一个访问晶体管，因此DRAM的存储密度较高。每个存储单元通常只需要1个晶体管和1个电容。
刷新需求：
SRAM：由于SRAM的存储单元采用稳定的触发器结构，不需要进行定期刷新操作。数据可以一直保持稳定，无需周期性刷新。
DRAM：由于DRAM的电容逐渐漏电，数据需要定期刷新以保持其正确性。DRAM需要通过刷新操作周期性地重新写入数据，否则数据会丢失。
访问速度：
SRAM：SRAM的访问速度非常快，因为数据存储在触发器中，可以立即读取和写入。SRAM具有较低的访问延迟和高速的读写性能。
DRAM：DRAM的访问速度相对较慢，因为数据存储在电容中，需要经过访问晶体管的操作。DRAM具有较高的访问延迟和相对较慢的读写性能。
