本节书摘来自异步社区《深入解析Android 5.0系统》一书中的第6章，第6.1节原子操作，作者 刘超，更多章节内容可以访问云栖社区“异步社区”公众号查看
6.1 原子操作
深入解析Android 5.0系统
对简单类型的全局变量进行操作时，即使是一些简单的操作，如加法、减法等，在汇编级别上也需要多条指令才能完成。整个操作的完成需要先读取内存中的值，在CPU中计算，然后再写回内存中。如果中间发生了线程切换并改变了内存中的值，这样最后执行的结果就会发生错误。避免这种问题发生的最好办法就是使用原子操作。
原子操作中没有使用锁，从效率上看要比使用锁来保护全局变量划算。但是，原子操作也不是没有一点性能上的代价，因此还是要尽量避免使用。
Android中用汇编语言实现了一套原子操作函数，这些函数在同步机制的实现中被广泛使用。
6.1.1 Android的原子操作函数
1．原子变量的加法操作
int32_t android_atomic_add(int32_t value, volatile int32_t* addr);
原子变量的减法操作可以通过传递负值给加法操作函数来完成。
2．原子变量的自增和自减操作
int32_t android_atomic_inc(volatile int32_t* addr);
int32_t android_atomic_dec(volatile int32_t* addr);
3．原子变量的与操作
int32_t android_atomic_and(int32_t value, volatile int32_t* addr);
4．原子变量的或操作
int32_t android_atomic_or(int32_t value, volatile int32_t* addr);
5．原子变量的设置
void android_atomic_acquire_store(int32_t value, volatile int32_t* addr);
void android_atomic_release_store(int32_t value, volatile int32_t* addr);6．原子变量的读取
int32_t android_atomic_acquire_load(volatile const int32_t* addr);
int32_t android_atomic_release_load(volatile const int32_t* addr);
图像说明文字注意 上面这两个函数从功能上看是一样的，区别只是内存屏障位于读取前还是读取后，下面的两组函数也类似。 7．原子变量的比较并交换
int android_atomic_acquire_cas(int32_t oldvalue, int32_t newvalue, volatile int32_t* addr);
int android_atomic_release_cas(int32_t oldvalue, int32_t newvalue, volatile int32_t* addr);8．还有两个原子变量的宏定义
#define android_atomic_write android_atomic_release_store
#define android_atomic_cmpxchg android_atomic_release_cas6.1.2 原子操作的实现原理
Android原子操作的实现方式和CPU的架构有密切关系，现在的原子操作一般都是在CPU指令级别实现的。这种实现方式不但简单，而且效率非常高。
虽然原子操作的接口函数有10多个，但是，只有两个函数通过汇编代码真正实现了原子操作，它们是函数android_atomic_add()和android_atomic_cas()，其他函数都只是在内部调用它们而已。这两个函数的原理差不多。
ARM平台上的实现更复杂一点，下面以ARM平台的加法函数为例来分析原子变量的实现原理：
extern ANDROID_ATOMIC_INLINE
int32_t android_atomic_add(int32_t increment, volatile int32_t *ptr)
{
int32_t prev, tmp, status;
android_memory_barrier();
do {
__asm__ __volatile__ ("ldrex %0, [%4]\n"
"add %1, %0, %5\n"
"strex %2, %1, [%4]"
: "=&r" (prev), "=&r" (tmp),
"=&r" (status), "+m" (*ptr)
: "r" (ptr), "Ir" (increment)
: "cc");
} while (__builtin_expect(status != 0, 0));
return prev;
}上面的代码中第一行使用的宏ANDROID_ATOMIC_INLINE的定义如下：
#define ANDROID_ATOMIC_INLINE inline __attribute__((always_inline))这个宏的作用是把函数定义成了inline函数。
代码中第二行调用android_memory_barrier()函数的作用表示这里需要内存屏障（下节会介绍内存屏障）。
接下来是一段“内嵌汇编”（如果对“内嵌汇编”不了解，可以参考笔者的博客），“内嵌汇编”比较难懂，但是可以用下面这段展开的伪代码来表示它：
do {
ldrex prev，[ptr]
add tmp, prev, increment
strex status, tmp, [ptr]
} whiile(status != 0)在add指令的前后有两条看上去比较陌生的指令：ldrex和strex，这两条是AMRV6新引入的同步指令。ldrex指令的作用是将指针ptr指向的内容放到prev变量中，同时给执行处理器做一个标记(tag)，标记上指针ptr的地址，表示这个内存地址已经有一个CPU正在访问。当执行到strex指令时，它会检查是否存在ptr的地址标记，如果标记存在，strex指令会把add指令执行的结果写入指针ptr指向的地址，并且返回0，然后清除该标记。返回的结果0将保存在status变量中，这样循环结束，函数返回结果。
如果在strex指令执行前发生了线程的上下文切换，在切换回来后，ldrx指令设置的标志将会被清除。这时再执行strex指令时，由于没有了这个标志，strex指令将不会完成对ptr指针的存储操作，而且status变量中的返回结果将是1。因此，循环将重新开始执行，直到成功为止。
builtin_expect()是gcc的内建函数，有两个参数，第一个参数是一个表达式，第二个参数是一个值。表达式的计算结果也是函数的结果。builtin_expect()用来告诉gcc预测表达式更可能的值是什么，这样gcc会根据预测值来优化代码。代码中表达的含义是预测“status!=0”这个表达式的值为“0”，预测while循环将结束。
图像说明文字提示 原子操作并没有禁止中断的发生或上下文切换，而是让它们不影响操作的结果。
6.1.3 内存屏障和编译屏障
现代 CPU中指令的执行次序不一定按顺序执行，没有相关性的指令可以打乱次序执行，以充分利用 CPU的指令流水线，提高执行速度。同时，编译器也会对指令进行优化，例如，调整指令顺序来利用CPU的指令流水线。这些优化方式，大部分时候都工作良好，但是在一些比较复杂的情况可能会出现错误，例如，执行同步代码时就有可能因为优化导致同步原语之后的指令在同步原语前执行。
内存屏障和编译屏障就是用来告诉CPU和编译器停止优化的手段。编译屏障是指使用伪指令“memory”告诉编译器不能把“memory”执行前后的代码混淆在一起，这时“memory”起到了一种优化屏障的作用。内存屏障是在代码中使用一些特殊指令，如ARM中的dmb、dsb和isb指令，x86中的sfence、lfence和mfence指令。CPU遇到这些特殊指令后，要等待前面的指令执行完成才执行后面的指令。这些指令的作用就好像一道屏障把前后指令隔离开了，防止CPU把前后两段指令颠倒执行。
（1）ARM平台的内存屏障指令。
dsb：数据同步屏障指令。它的作用是等待所有前面的指令完成后再执行后面的指令。
dmb：数据内存屏障指令。它的作用是等待前面访问内存的指令完成后再执行后面访问内存的指令。
isb：指令同步屏障。它的作用是等待流水线中所有指令执行完成后再执行后面的指令。
（2）x86平台上的内存屏障指令。
sfence：存储屏障指令。它的作用是等待前面写内存的指令完成后再执行后面写内存的指令。
lfence：读取屏障指令。它的作用是等待前面读取内存的指令完成后再执行后面读取内存的指令。
mfence：混合屏障指令。它的作用是等待前面读写内存的指令完成后再执行后面读写内存的指令。
要精确地理解这些指令的含义，需要去查阅处理器的说明。这里只是对它们做了一点简单的介绍。下面看看Android是如何利用这些指令来实现内存屏障和编译屏障的：
1．ARM平台的函数代码
（1）编译屏障：
void android_compiler_barrier()
{
asm_volatile_("" : : : "memory");
}
编译屏障的实现只是使用了伪指令memory。
（2）内存屏障：
void android_memory_barrier()
{
#if ANDROID_SMP == 0
android_compiler_barrier();
#else
__asm__volatile_("dmb" : : : "memory");
#endif
}
void android_memory_store_barrier()
{
#if ANDROID_SMP == 0
android_compiler_barrier();
#else
__asm_volatile_("dmb st" : : : "memory");
#endif
}内存屏障的函数中使用了宏ANDROID_SMP。它的值为0时表示是单CPU，这种情况下只使用编译屏障就可以了。在多CPU情况下，同时使用了内存屏障指令“dmb”和编译屏障的伪指令“memory”。函数android_memory_store_barrier()中的dmb指令还使用了选项st，它表示要等待前面所有存储内存的指令执行完后再执行后面的存储内存的指令。
2．x86平台下的函数代码
（1）编译屏障：
void android_compiler_barrier(void)
{
__asm__ __volatile__ ("" : : : "memory");
}
和ARM平台下一样，编译屏障的实现只是使用了伪指令memory。
（2）内存屏障：
#if ANDROID_SMP == 0
void android_memory_barrier(void)
{
android_compiler_barrier();
}
void android_memory_store_barrier(void)
{
android_compiler_barrier();
}
#else
void android_memory_barrier(void)
{
asm__volatile_("mfence" : : : "memory");
}
void android_memory_store_barrier(void)
{
android_compiler_barrier();
}
#endifx86平台也一样，如果是单CPU，内存屏障的实现只使用了编译屏障。在多CPU情况下，函数android_memory_barrier()使用了CPU指令“mfence”，对读写内存的情况都进行了屏障。但是android_memory_store_barrier()函数只使用了编译屏障，这是因为Intel的CPU不对写内存的指令重新排序。所以不需要内存屏蔽指令。
