一、实验目的
1、了解静态随机存储器RAM和只读存储器ROM的工作特性
2、掌握存储器与总线的连接及存储器地址空间映射的原理
3、设计一个8位字长的存储器通路，包括ROM和RAM两个地址相互独立的存储器，实现对ROM和RAM存储器的数据读写操作及数据成批导入ROM的操作
二、实验原理
6116：6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间200ns,24线双列直插式封装.
原理图：
三、实验内容步骤、结果截图及说明
1、依照 “附录：ROM批量导入数据技巧”，加载project.asm文件编译的hex二进制文件到ROM芯片2764，并且查看ROM烧写的数据段是否正确。（截图）
2.启动仿真前，令 #ROM_OE = #RAM_OE = #RAM_WE = 1；启动仿真后，令 #SW_BUS = 0，手动拨码开关输入024H到地址总线ABUS_[0..11]（绿色数码管显示）。
3、令地址锁存信号ROM_CLK上升沿跳变“01”，将地址总线上的024H打入地址锁存器ROM_AR；令 #ROM_OE=0，使能ROM存储器2764输出，在数据总线DBUS_[0..7]（红色数码管显示）上查看存储单元[024H]读出的内容。（截图）
4、手动拨码开关，向地址锁存器RAM_AR打入地址F80H；令 #RAM_WE = 0，使能RAM存储器6116输入，把存储单元[024H]的内容写入存储单元[F80H]。
5、令 #ROM_OE = 1（禁止ROM存储器2764输出）且 #RAM_OE = 0（允许RAM存储器6116输出），在数据总线DBUS_[0..7] 上观察存储单元[F80H]写入内容是否正确。（截图）
禁止输出
允许输出
写入成功
6、按照上述操作，把ROM存储器单元[024H]、[028H]、[02CH]、[030H]的内容依次写入RAM存储器单元[F80H]、[F81H]、[F82H]、[F83H]，查看写入RAM数据是否正确。（截图）
028H
