电路模电数电知识点总结(初步完成,后期进行小部分优化)(3)

简介: 电路模电数电知识点总结(初步完成,后期进行小部分优化)(3)

诺顿定理


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算到戴维南等效电路,将电压源转变成电流源即可,这里就不展示了。



第二模块 模拟电子技术基础


小知识点


导体:自然界中很容易导电的物质,例如金属。

绝缘体:电阻率很高的物质,几乎不导电,如橡皮、陶瓷、 塑料和石英等。

半导体:导电特性处于导体和绝缘体之间的物质,例如锗、 硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。

半导体的特点


当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。

往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力 明显改变。

纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体,如:硅和锗。


杂质半导体:在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质, 可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主 要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为 杂质半导体。


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电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。


共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束 缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因 此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。


在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚 着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子) ,它的导电能力为0,相当于绝缘体。


电流=自由电子定向运动+空穴定向运动


室温本征半导体的导电能力是很弱的。 本征载流子浓度随温度升高近似按指数规律增大,其导电性能对温度的变化很敏感。


杂质半导体中多数载流子浓度取决于掺杂浓度;少数载流子浓度取决于温度


杂质半导体中起导电作用的主要是多子。


PN结的单向导电特性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。


外加正向电压Uf促使PN结转化为导通状态,正向电流较大,结电阻很低。


外加反向电压UR 促使PN结转化为截止状态,反向电流很小,结电阻很高。


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二极管


  • 二极管的伏安特性 将二极管分为三种 状态——截止、导通和击穿
  • 压降:硅管约为(0.6~0.7)V,锗管约 为(0.2~0.3)V
  • 一般情况下,锗管反向电 流I R >硅管I R 反向电流。


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二极管理想模型:

  1. 外加正向电压时,二极管导通,可看作短路;
  2. 外加反向电压时,二极管截止,可看作开路。


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1. 二极管整流


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2. 二极管导通


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注意Uo的正负极


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3. 稳压二极管


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三极管(晶体管)


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注意,NPN型三极管电流,两进一出,出为iE;PNP型三极管电流,一进两出,入为iE

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