• Ram和Rom

    现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制),未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形,若不作特别处理,数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态,然后按照原来的...
    文章 2015-09-14 1897浏览量
  • 内存管理 之 存储器硬件知识

    现代计算机采用以下几种技术来提高DRAM主存的读写速度:同步动态随机存储器(SDRAM)、双数据速率同步动态随机存储器(DDR SDRAM)、接口动态随机存储器(DR DRAM)、带高速缓存动态随机存储器(CDRAM)、虚拟通道...
    文章 2014-07-18 1885浏览量
  • 综述:用于高效能量存储的碳基超级电容器

    《国家科学评论》最近发表的由美国凯斯西储大学戴黎明教授研究团队撰写的“用于高效能量存储的碳基超级电容器”的综述文章,总结了基于碳纳米材料的高性能超级电容器的最新进展,着重强调了电极结构的设计和形成,并...
    文章 2017-07-03 1502浏览量
  • 《迷人的8051单片机》-1.2小元器件有大智慧

    电容器可以存储电荷,但电路中电容器的作用并不是用于存储电能,而是利用电容器能反复充放电的特点,达到阻直流、通交流的目的。按照极板间绝缘材料的不同,电容器可以分为瓷介电容、涤纶电容、聚丙烯电容、电解电容...
    文章 2017-05-23 1743浏览量
  • 6、深入理解计算机系统笔记:存储器层次结构,存储...

    1、如果你的程序需要的数据是存储在CPU寄存中的,那么在执行期间,在零个周期内就能访问到它们。如果存储在高速缓冲中,需要1~10个周期。如果存储在主存中,需要50~100个周期。如果存储在磁盘上,需要约20000000...
    文章 2011-06-09 773浏览量
  • 《嵌入式系统开发之道——菜鸟成长日志与项目经理的...

    单片微型计算机(即单片机或微控制器)就是把中央处理单元、存储器、输入/输出单元等全部放置在一个芯片里,如图1-2所示,只要再配置几个小元件,如电阻器、电容器、石英晶体、连接器等,就成为一个完整的微型计算机...
    文章 2017-05-02 1266浏览量
  • 《例说51单片机(C语言版)(第3版)》——第1章 轻松...

    单片微型计算机(即单片机或微控制器)就是把中央处理单元、存储器、输入/输出单元等全部放置在一个芯片里,如图1-2所示,只要再配置几个小元件,如电阻器、电容器、石英晶体、连接器等,就成为一个完整的微型计算机...
    文章 2017-05-02 1417浏览量
  • 《例说8051:单片机程序设计案例教程》——1-1 微型...

    单片机就是把中央处理单元、存储器、输入/输出端口等全部集成在一块芯片里(如图1-2所示),只要再配置几个小元件,如电阻、电容、石英晶体、连接等,即可构成一个完整的微型计算机。因此单片机整个系统具有体积小...
    文章 2017-05-02 1045浏览量
  • 《例说8051:单片机程序设计案例教程》——第 1 章 ...

    单片机就是把中央处理单元、存储器、输入/输出端口等全部集成在一块芯片里(如图1-2所示),只要再配置几个小元件,如电阻、电容、石英晶体、连接等,即可构成一个完整的微型计算机。因此单片机整个系统具有体积小...
    文章 2017-05-02 1471浏览量
  • 带宽的单位为什么是Hz而不是bps?

    对于存储器的带宽计算有下面的方法:B表示带宽,F表示存储器时钟频率,D表示存储器数据总线位数,则带宽为:B=F×D/8 例如,PC-100的SDRAM带宽计算如下:100MHZ×64BIT/8=800MB/S 当然,这个计算方法是针对仅靠...
    文章 2017-12-15 4459浏览量
  • IC卡制作常识概述

    存储器单元:一般分为三种类型:(1)随机存储器(RAM),用于存放运算过程中的中间数据或结果数据。(2)只读存储器(ROM),用于存放智能卡的操作系统(OS)。这部分程序是在厂家制造芯片的时候一次性写人的。(3)可编程程序...
    文章 2015-01-12 1296浏览量
  • 《例说51单片机(C语言版)(第3版)》一第1章 轻松看...

    单片微型计算机(即单片机或微控制器)就是把中央处理单元、存储器、输入/输出单元等全部放置在一个芯片里,如图1-2所示,只要再配置几个小元件,如电阻器、电容器、石英晶体、连接器等,就成为一个完整的微型计算机...
    文章 2017-05-02 1375浏览量
  • 《计算机存储与外设》-第2章 Computer Organization ...

    动态存储器(DRAM)采用半导体技术将数据表示为存储电容中的电荷。相比于动态存储器,静态存储器的速度较快、价格较昂贵、芯片密度(位/芯片)较低。动态存储器更便宜,但相比静态存储器在实际电路中使用更难。...
    文章 2017-05-25 2026浏览量
  • 使用量子力学技术的新型超低功耗存储器或将取代DRAM和...

    低电压操作和小电容的组合意味着每单位面积的固有开关能量分别比动态随机存取存储器和闪存小100和1000倍。因此,该设备可以被认为是具有相当大潜力的新兴存储器。具体结构方面,这是一种新型低压,化合物半导体,...
    文章 2019-06-24 1137浏览量
  • 《深入浅出DPDK》—第2章2.1节存储系统简介

    2.DRAMDRAM通常是系统的主要内存,动态表示信息是存储在集成电路的电容器内的,由于电容器会自动放电,为了避免数据丢失,需要定期充电。通常,内存控制器会负责定期充电的操作。不过随着更好技术的提出,该技术已经...
    文章 2017-05-02 1808浏览量
  • 《例说51单片机(C语言版)(第3版)》——1-2 8051...

    当然,只要时间常数大于2μs即可,而不一定要使用10kΩ电阻器、10μF电容器,本书所提供的89S51在线刻录实验板就使用0.1μF电容器(体积较小,电流也较小)及约100kΩ电阻器。通常,我们还会在电容器两端并接一个...
    文章 2017-05-02 1456浏览量
  • 《例说51单片机(C语言版)(第3版)》一1.2 8051基础...

    当然,只要时间常数大于2μs即可,而不一定要使用10kΩ电阻器、10μF电容器,本书所提供的89S51在线刻录实验板就使用0.1μF电容器(体积较小,电流也较小)及约100kΩ电阻器。通常,我们还会在电容器两端并接一个...
    文章 2017-05-02 2704浏览量
  • 韩国科学家开发新电池 充电比速度比锂电池快100倍

    科学、ICT、未来规划部表示:“新的混合能源存储技术将锂电池的优点和和超级电容器的优点结合在一起,它的能量密度更高,充电速度比锂电池快100倍。研究团队由Kang Jeung-ku领导,他是韩国科学技术高级研究院能源、...
    文章 2017-07-03 924浏览量
  • MySQL存储写入速度慢分析

    一、存储结构分析 MySQL存储结构图: 解析: 1、读操作:内存读->cache缓存读->磁盘物理读 读取到的数据会按上述顺序往回送。2、写操作:内存数据直接写入cache缓存(非常快)->写入disk 由上可知,MySQL之...
    文章 2017-11-08 1316浏览量
  • 《Linux设备驱动开发详解 A》一一2.2 存储器

    每个SRAM存储单元由6个晶体管组成,而DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成。通常所说的SDRAM、DDR SDRAM皆属于DRAM的范畴,它们采用与CPU外存控制器同步的时钟工作(注意,不是与CPU的工作频率一致)。与SDRAM...
    文章 2017-05-02 1681浏览量
  • 《例说8051:单片机程序设计案例教程》——1-2 8051...

    存储器引脚8051内部有存储器,外部也可接存储器,至于使用内部存储器还是外部存储器,则必须视31脚(Port 0下面那个引脚)而定。31脚就是引脚,即外部存储器访问使能(External Access Enable)引脚。当=1时,...
    文章 2017-05-02 1373浏览量
  • 《例说8051:单片机程序设计案例教程》——1-2 8051...

    8051内部有存储器,外部也可接存储器,至于使用内部存储器还是外部存储器,则必须视31脚(Port 0下面那个引脚)而定。31脚就是引脚,即外部存储器访问使能(External Access Enable)引脚。当=1时,系统使用内部存储...
    文章 2017-05-02 1831浏览量
  • “风水逆转”:获取云端虚拟机的完整控制权其实很容易

    计算机内存中,每个存储单元(晶体管+电容器)存放1bit数据,这个比特位要么是0,要么是1——存储单元中充满电子表示1,清空表示0。内存就是由上亿这样的存储单元构成的,数据也因此得以存储。不过电容器会泄露,...
    文章 2017-07-03 1143浏览量
  • 《计算机存储与外设》-1.4 Cache设计中要考虑的因素

    动态存储器(DRAM)通过对单个晶体管的电容充上电荷来保存数据。这使得DRAM非常便宜和紧凑,可以用来构造大容量存储器。不幸的是,DRAM需要更多的电量进行控制,且电容中的电量在几ms内就会漏光。为了保存DRAM中的...
    文章 2017-05-25 1844浏览量
  • 《例说51单片机(C语言版)(第3版)》——1-2 8051...

    当然,只要时间常数大于2μs即可,而不一定要使用10kΩ电阻器、10μF电容器,本书所提供的89S51在线刻录实验板就使用0.1μF电容器(体积较小,电流也较小)及约100kΩ电阻器。通常,我们还会在电容器两端并接一个...
    文章 2017-05-02 4045浏览量
  • 《51单片机应用开发范例大全(第3版)》——1.1 MCS-51...

    从图1-2中可以看到,8051单片机主要包含中央处理(CPU)、程序存储器(ROM)、数据存储器(RAM)、定时/计数、并行接口、串行接口和中断系统几大功能模块及数据总线、地址总线和控制总线等,将在后面的小节中...
    文章 2017-05-02 2102浏览量
  • 面试题大全

    同步电路:存储电路中所有触发的时钟输入端都接同一个时钟脉冲源,因而所有触发的状态的变化都与所加的时钟脉冲信号同步。异步电路:电路没有统一的时钟,有些触发的时钟输入端与时钟脉冲源相连,这有这些触发...
    文章 2014-10-11 1283浏览量
  • 《51单片机应用开发范例大全(第3版)》——第1章 ...

    它把组成微型计算机的各功能部件(包括中央处理单元CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、I/O接口电路、定时/计数以及串行口等)集成在一块电路芯片上。由于单片机的硬件结构与指令系统的功能都是按工业控制要求...
    文章 2017-05-02 5840浏览量
  • 带你读《PDN设计之电源完整性:高速数字产品的鲁棒和...

    使用阻抗的定义,在时域内电容器的阻抗是正如我们预期的那样:它是连续的,dV/dt越大,流过电容器的电流越大,阻抗越小。理想电容器的阻抗依赖于电容器两端电压波形的斜率。虽然这个表达式是绝对准确的,但是在实际...
    文章 2019-11-13 2200浏览量
  • Rowhammer漏洞致“比特位翻转”,如何解决?

    随着驱动中在每个单独的DRAM芯片上的存储容量的提升,造成了其自身严重的漏洞,其允许攻击者把DRAM中比特位的值从1改成0,或翻转为相反的数值。这一基于硬件的攻击能够绕过核心系统保护措施,使数据安全和流程之间...
    文章 2017-08-01 1053浏览量
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