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东芝/IBM/AMD共同开发全球最小SRAM单元
东芝、IBM和AMD三家公司今天共同宣布，他们已经使用High-K金属栅极材料，合作开发出了全球最小的SRAM单元，基于FinFET鳍式场效应管结构，面积仅有0.128平方微米。在此之前，全球最小的SRAM单元面积约为0.274平方微米...文章 2017-08-09 962浏览量 -
AliOS Things实现SRAM，并将heap移动SRAM上
1.通过cubemx生成SRAM的初始化，这个应该没啥问题了，出现硬件错误啥的，就查这个哪个参数每设置对就对了2.修改LD链接文件，增加对应存储位置及大小2.1在LD文件中我还加了个如下，方便以后编译时能指定变量到存储器3...文章 2020-03-18 444浏览量 -
【嵌入式开发】ARM 代码搬移(ARM 启动流程|代码搬移 ...
SRAM 垫脚石|② PC 指向 0 地址 即 SRAM 起始地址执行|③ 初始化内存 拷贝 后续指令到内存执行)2440 NandFlash 启动:1.垫脚石(SRAM)简介:2440 Nand Flash 启动,需要依赖于 很重要的片内部件->SRAM,这个部件 又叫 ...文章 2022-01-17 50浏览量 -
[攻克存储]SRAM地址线的连接
在嵌入式系统设计过程中，由于主控芯片（如ARM、PPC、MIPS等）片上的存储空间不够大，经常需要外接存储器芯片（如ROM、SRAM、SDRAM、DDR2、Nand Flash等），因此，弄清楚主控芯片与外界存储芯片的引脚连接原理至关...文章 2017-11-26 1351浏览量 -
SRAM读写实验-读书笔记
该文章，为个人原创，只是自己对SRAM读写实验的一点总结，附上我在ednchina上的博客链接http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3030256.HTM文章 2016-05-11 1488浏览量 -
《Linux设备驱动开发详解 A》一一2.6 硬件时序分析
图2.26 SRAM读时序图NOR Flash和许多外设控制芯片都使用了类似SRAM的访问时序，因此，牢固掌握这个时序意义重大。一般，在芯片数据手册给出的时序图中，会给出图中各段时间的含义和要求，真实的电路板必须满足芯片...文章 2017-05-02 1236浏览量 -
[攻克存储]存储芯片的写屏蔽及扩展
由上一篇文章我们知道，这是ARM芯片与16位数据位宽的SRAM存储芯片的典型连接图，ARM芯片只需给出要访问的高16位地址，数据总线上则会出现两个字节的数据，供ARM读取，然后ARM根据A0的值来决定访问高字节还是低字节。...文章 2017-11-27 959浏览量 -
在MDK上建立一个C++的STM32开发工程
SRAM 的首地址就是 HEAP_BASE=Bank1_SRAM3_ADDR，止地址就是 HEAP_TOP=Bank1_SRAM3_ADDR+0x100000。如上调用完_init_alloc()函数后，你就可以使用 new 进行申请空间与创建对象了。在工程中凡是.c 文件都是C源文件，...文章 2016-04-22 4504浏览量 -
地平线谭洪贺：AI芯片怎么降功耗？...
然后，引入一种定制的7T bit-cell的SRAM，可以支持行方向和列方向两种读取模式，即其所谓的conventional r/w和transposed r/w。分析一下，将矩阵分解成独立的两个向量，可以减少weight参数数量，减少weight读取次数...文章 2017-05-17 1638浏览量 -
存储器层次结构-《深入理解计算机系统》第六章读书...
随机访问存储器RAM，RAM又分为两类：静态的SRAM和动态的DRAM。静态SRAM特点：容量较小，速度较之动态DRAM要快很多，故而价格也较高。一般用作CPU与内存的缓存。动态DRAM特点：容量较大，速度比SRAM慢，价格相对较低...文章 2016-09-14 1206浏览量 -
arm处理器启动流程分析
启动方式：SRAM（nor），OneNAND（具有nor和nand双重属性）， MODEM，IROM（包括SD卡启动和nand启动） 地址布局： 启动流程： 上电之后，从镜象区域启动，镜象区域就是以上启动方式的映射 nand启动流程： 1)nand启动...文章 2018-04-14 1009浏览量 -
[攻克存储]掌握SDRAM/DDR的结构与寻址
本系列前面两篇文章《[攻克存储]SRAM地址线的连接》和《[攻克存储]存储芯片的写屏蔽及扩展》已经介绍了SRAM芯片的地址线连接方法以及存储芯片的写屏蔽扩展，这两篇文章基本上是从SRAM的角度在进行讲解和描述，其中...文章 2017-11-27 1502浏览量 -
嵌入式存储STT-MRAM取代NOR Flash大势所趋
MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write Cache)等。全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供...文章 2017-08-28 2717浏览量 -
计算机考研408每日一题 day147
计算机组成原理SRAM和DRAM的最大区别是_。(杭州电子科技大学 2013年)A.机器掉电后&xff0c;SRAM的信息可以保存&xff0c;而DRAM的信息丢失 B.机器掉电后&xff0c;DRAM的信息可以保存&xff0c;而SRAM的信息丢失 C.SRAM需要周期...文章 2022-06-19 15浏览量 -
STM32F103系列单片机的FLASH和RAM大小
20KBSTM32F103RCT6CPU：STM32F103RCT6，LQFP64，FLASH:256KB，SRAM：48KB；flash起始地址为0x8000000，大小为0x4000(16进制)—>262144字节(10进制)—>256KBRAM起始地址为0x2000000，大小为0xC000(16进制)—>...文章 2022-05-25 125浏览量 -
STM32 中 BIT_BAND（位段/位带）和别名区使用入门...
它是这样做的：在寻址空间（32位对应的地址空间为 4GB）的另一地方，取个别名区空间，从这个地址开始处，每一个字（32BIT）对应SRAM或I/O的一位。这样，1MB SRAM 就可以有 32MB 的对应别名区空间，就是1位膨胀到32位...文章 2016-08-11 911浏览量 -
《Linux设备驱动开发详解 A》一一2.2 存储器
SRAM是静态的，只要供电它就会保持一个值，SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成。通常所说的SDRAM、DDR SDRAM皆属于DRAM的范畴，它们采用与CPU外存控制器...文章 2017-05-02 1787浏览量 -
S3C2410（ARM9）的启动方式
为了从Nand Flash启动，S3C2410配置了一个叫做Steppingstone的4KB内部SRAM缓冲器，当系统被配置为从Nand Flash启动时（配置由硬件工程师在电路板设置），Nandflash控制器会自动的将Nand Flash前4KB代码将会被自动...文章 2011-09-07 872浏览量 -
SRAM初始化&设置NVIC中断表偏移
重写向量表》文章中我们介绍了中断向量表的编写，这次我们编写SRAM初始化代码，在《调试初步：点亮LED灯》文章中，我们提到了MDK脚本代码，其实这部分代码和MDK脚本代码实现类似的功能。1、编写PreStackInit代码 ...文章 2019-07-16 539浏览量 -
[攻克存储]s3c2440存储系统设计与思考
假设 ARM 扩展了两片16MB的SRAM芯片，每片SRAM芯片为16位，扩展后，存储系统为32位，两片SRAM片选引脚均连接的是ARM芯片的 nGCS1。由于每一片芯片都是16MB，两片的地址增量应该是32MB。因为2^20=1MB，即0x0100000，...文章 2017-11-27 1416浏览量 -
【.Net Micro Framework PortingKit - 05】SRAM初始化...
重写向量表》文章中我们介绍了中断向量表的编写，这次我们编写SRAM初始化代码，在《调试初步：点亮LED灯》文章中，我们提到了MDK脚本代码，其实这部分代码和MDK脚本代码实现类似的功能。1、编写PreStackInit代码 ...文章 2010-01-03 491浏览量 -
STM32三种BOOT启动模式详解(全网最全)
启动地址：0x20000000 内置SRAM，既然是SRAM，自然也就没有程序存储的能力了，这个模式一般用于程序调试。假如我只修改了代码中一个小小的 地方，然后就需要重新擦除整个Flash，比较的费时，可以考虑从这个模式启动...文章 2022-05-25 64浏览量 -
LPC17XX之IAP升级
使用IAP将SRAM中的数据编程到FLASH时&xff0c;只能使用片内部局部总线上的SRAM。xff08;5&xff09;存储数据的对齐方式&xff0c;如果一个数据是从偶地址开始存储&xff0c;则是半字对齐&xff0c;否则非半字对齐。如果一个数据是从...文章 2021-12-27 39浏览量 -
《计算机存储与外设》-2.2 主存储器
本节首先介绍静态存储器（SRAM），因为它在动态存储器（DRAM）之前出现且比DRAM更容易理解。实际上，Cache存储器通常由SRAM实现。2.2.1 SRAM 图2-4说明了SRAM概念上是如何工作的。两个反向器端端相联构成一个环。门...文章 2017-05-02 1368浏览量 -
6、深入理解计算机系统笔记：存储器层次结构，存储...
SRAM用来作为高速缓存存储器，即可以在CPU芯片上，也可以不在CPU芯片上。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区。3、静态RAM SRAM将每个位存储在一个双稳态（bistable）存储器单元（cell）中。每个单元是用一个六...文章 2011-06-09 904浏览量 -
一文弄清物联网的OTA
部分缓存:保留一个 SRAM 区域用于缓存，当新数据包到达时将它们存储在 SRAM 的区域中。当区域填满时，通过将数据写入快闪存储器来清空它。如果数据包无序到达，或者在新的应用程序二进制文件中存在间隙，这可能会变...文章 2018-12-07 1397浏览量 -
Atmel开发出面向下一代物联网、工业和汽车应用
Atmel®|SMART Cortex-M微控制器使客户能够提升性能、SRAM和系统功能，同时保持了Cortex-M级产品简单易用和最好的软件重复使用等特点。第一版器件运行最高可达300MHz，高达 384kByte SRAM可配置为紧密耦合内存（TCM...文章 2017-09-04 1047浏览量 -
一窥 ARM 的 AI 处理器
这里，本地 SRAM，VRF 和 PLE 之外的 Maing SRAM Unit（CE 中的 SRAM）之间有 Load/Store 单元和 uDMA 实现数据的传输，数据流也是比较灵活的。综合来看，在 MLP 中，每个 CE 中都有一个 PLE 和 MCE 配合，即每个 ...文章 2018-05-30 1221浏览量 -
DDR的前世与今生
SRAM速度非常快，是早期读写最快的存储设备了，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的内存需要很大的体积，且功耗较大；同时它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓存，二级...文章 2017-07-02 1126浏览量 -
STM32的内存管理相关（内存架构，内存管理，map文件...
RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/...文章 2022-08-08 13浏览量
