• 东芝/IBM/AMD共同开发全球最小SRAM单元

    东芝、IBM和AMD三家公司今天共同宣布,他们已经使用High-K金属栅极材料,合作开发出了全球最小的SRAM单元,基于FinFET鳍式场效应管结构,面积仅有0.128平方微米。在此之前,全球最小的SRAM单元面积约为0.274平方微米...
    文章 2017-08-09 962浏览量
  • AliOS Things实现SRAM,并将heap移动SRAM

    1.通过cubemx生成SRAM的初始化,这个应该没啥问题了,出现硬件错误啥的,就查这个哪个参数每设置对就对了2.修改LD链接文件,增加对应存储位置及大小2.1在LD文件中我还加了个如下,方便以后编译时能指定变量到存储器3...
    文章 2020-03-18 444浏览量
  • 【嵌入式开发】ARM 代码搬移(ARM 启动流程|代码搬移 ...

    SRAM 垫脚石|② PC 指向 0 地址 即 SRAM 起始地址执行|③ 初始化内存 拷贝 后续指令到内存执行)2440 NandFlash 启动:1.垫脚石(SRAM)简介:2440 Nand Flash 启动,需要依赖于 很重要的片内部件->SRAM,这个部件 又叫 ...
    文章 2022-01-17 50浏览量
  • [攻克存储]SRAM地址线的连接

    在嵌入式系统设计过程中,由于主控芯片(如ARM、PPC、MIPS等)片上的存储空间不够大,经常需要外接存储器芯片(如ROM、SRAM、SDRAM、DDR2、Nand Flash等),因此,弄清楚主控芯片与外界存储芯片的引脚连接原理至关...
    文章 2017-11-26 1351浏览量
  • SRAM读写实验-读书笔记

    该文章,为个人原创,只是自己对SRAM读写实验的一点总结,附上我在ednchina上的博客链接http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3030256.HTM
    文章 2016-05-11 1488浏览量
  • 《Linux设备驱动开发详解 A》一一2.6 硬件时序分析

    图2.26 SRAM读时序图NOR Flash和许多外设控制芯片都使用了类似SRAM的访问时序,因此,牢固掌握这个时序意义重大。一般,在芯片数据手册给出的时序图中,会给出图中各段时间的含义和要求,真实的电路板必须满足芯片...
    文章 2017-05-02 1236浏览量
  • [攻克存储]存储芯片的写屏蔽及扩展

    由上一篇文章我们知道,这是ARM芯片与16位数据位宽的SRAM存储芯片的典型连接图,ARM芯片只需给出要访问的高16位地址,数据总线上则会出现两个字节的数据,供ARM读取,然后ARM根据A0的值来决定访问高字节还是低字节。...
    文章 2017-11-27 959浏览量
  • 在MDK上建立一个C++的STM32开发工程

    SRAM 的首地址就是 HEAP_BASE=Bank1_SRAM3_ADDR,止地址就是 HEAP_TOP=Bank1_SRAM3_ADDR+0x100000。如上调用完_init_alloc()函数后,你就可以使用 new 进行申请空间与创建对象了。在工程中凡是.c 文件都是C源文件,...
    文章 2016-04-22 4504浏览量
  • 地平线谭洪贺:AI芯片怎么降功耗?...

    然后,引入一种定制的7T bit-cell的SRAM,可以支持行方向和列方向两种读取模式,即其所谓的conventional r/w和transposed r/w。分析一下,将矩阵分解成独立的两个向量,可以减少weight参数数量,减少weight读取次数...
    文章 2017-05-17 1638浏览量
  • 存储器层次结构-《深入理解计算机系统》第六章读书...

    随机访问存储器RAM,RAM又分为两类:静态的SRAM和动态的DRAM。静态SRAM特点:容量较小,速度较之动态DRAM要快很多,故而价格也较高。一般用作CPU与内存的缓存。动态DRAM特点:容量较大,速度比SRAM慢,价格相对较低...
    文章 2016-09-14 1206浏览量
  • arm处理器启动流程分析

    启动方式:SRAM(nor),OneNAND(具有nor和nand双重属性), MODEM,IROM(包括SD卡启动和nand启动) 地址布局: 启动流程: 上电之后,从镜象区域启动,镜象区域就是以上启动方式的映射 nand启动流程: 1)nand启动...
    文章 2018-04-14 1009浏览量
  • [攻克存储]掌握SDRAM/DDR的结构与寻址

    本系列前面两篇文章《[攻克存储]SRAM地址线的连接》和《[攻克存储]存储芯片的写屏蔽及扩展》已经介绍了SRAM芯片的地址线连接方法以及存储芯片的写屏蔽扩展,这两篇文章基本上是从SRAM的角度在进行讲解和描述,其中...
    文章 2017-11-27 1502浏览量
  • 嵌入式存储STT-MRAM取代NOR Flash大势所趋

    MRAM或STT-MRAM,取代NOR Flash,此举代表市场的巨大转变,因为到目前为止,只有Everspin已经为各种应用提供MRAM,例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write Cache)等。全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供...
    文章 2017-08-28 2717浏览量
  • 计算机考研408每日一题 day147

    计算机组成原理SRAM和DRAM的最大区别是_。(杭州电子科技大学 2013年)A.机器掉电后&xff0c;SRAM的信息可以保存&xff0c;而DRAM的信息丢失 B.机器掉电后&xff0c;DRAM的信息可以保存&xff0c;而SRAM的信息丢失 C.SRAM需要周期...
    文章 2022-06-19 15浏览量
  • STM32F103系列单片机的FLASH和RAM大小

    20KBSTM32F103RCT6CPU:STM32F103RCT6,LQFP64,FLASH:256KB,SRAM:48KB;flash起始地址为0x8000000,大小为0x4000(16进制)—>262144字节(10进制)—>256KBRAM起始地址为0x2000000,大小为0xC000(16进制)—>...
    文章 2022-05-25 125浏览量
  • STM32 中 BIT_BAND(位段/位带)和别名区使用入门...

    它是这样做的:在寻址空间(32位对应的地址空间为 4GB)的另一地方,取个别名区空间,从这个地址开始处,每一个字(32BIT)对应SRAM或I/O的一位。这样,1MB SRAM 就可以有 32MB 的对应别名区空间,就是1位膨胀到32位...
    文章 2016-08-11 911浏览量
  • 《Linux设备驱动开发详解 A》一一2.2 存储器

    SRAM是静态的,只要供电它就会保持一个值,SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成,而DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成。通常所说的SDRAM、DDR SDRAM皆属于DRAM的范畴,它们采用与CPU外存控制器...
    文章 2017-05-02 1787浏览量
  • S3C2410(ARM9)的启动方式

    为了从Nand Flash启动,S3C2410配置了一个叫做Steppingstone的4KB内部SRAM缓冲器,当系统被配置为从Nand Flash启动时(配置由硬件工程师在电路板设置),Nandflash控制器会自动的将Nand Flash前4KB代码将会被自动...
    文章 2011-09-07 872浏览量
  • SRAM初始化&设置NVIC中断表偏移

    重写向量表》文章中我们介绍了中断向量表的编写,这次我们编写SRAM初始化代码,在《调试初步:点亮LED灯》文章中,我们提到了MDK脚本代码,其实这部分代码和MDK脚本代码实现类似的功能。1、编写PreStackInit代码 ...
    文章 2019-07-16 539浏览量
  • [攻克存储]s3c2440存储系统设计与思考

    假设 ARM 扩展了两片16MB的SRAM芯片,每片SRAM芯片为16位,扩展后,存储系统为32位,两片SRAM片选引脚均连接的是ARM芯片的 nGCS1。由于每一片芯片都是16MB,两片的地址增量应该是32MB。因为2^20=1MB,即0x0100000,...
    文章 2017-11-27 1416浏览量
  • 【.Net Micro Framework PortingKit - 05】SRAM初始化...

    重写向量表》文章中我们介绍了中断向量表的编写,这次我们编写SRAM初始化代码,在《调试初步:点亮LED灯》文章中,我们提到了MDK脚本代码,其实这部分代码和MDK脚本代码实现类似的功能。1、编写PreStackInit代码 ...
    文章 2010-01-03 491浏览量
  • STM32三种BOOT启动模式详解(全网最全)

    启动地址:0x20000000 内置SRAM,既然是SRAM,自然也就没有程序存储的能力了,这个模式一般用于程序调试。假如我只修改了代码中一个小小的 地方,然后就需要重新擦除整个Flash,比较的费时,可以考虑从这个模式启动...
    文章 2022-05-25 64浏览量
  • LPC17XX之IAP升级

    使用IAP将SRAM中的数据编程到FLASH时&xff0c;只能使用片内部局部总线上的SRAM。xff08;5&xff09;存储数据的对齐方式&xff0c;如果一个数据是从偶地址开始存储&xff0c;则是半字对齐&xff0c;否则非半字对齐。如果一个数据是从...
    文章 2021-12-27 39浏览量
  • 《计算机存储与外设》-2.2 主存储器

    本节首先介绍静态存储器(SRAM),因为它在动态存储器(DRAM)之前出现且比DRAM更容易理解。实际上,Cache存储器通常由SRAM实现。2.2.1 SRAM 图2-4说明了SRAM概念上是如何工作的。两个反向器端端相联构成一个环。门...
    文章 2017-05-02 1368浏览量
  • 6、深入理解计算机系统笔记:存储器层次结构,存储...

    SRAM用来作为高速缓存存储器,即可以在CPU芯片上,也可以不在CPU芯片上。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区。3、静态RAM SRAM将每个位存储在一个双稳态(bistable)存储器单元(cell)中。每个单元是用一个六...
    文章 2011-06-09 904浏览量
  • 一文弄清物联网的OTA

    部分缓存:保留一个 SRAM 区域用于缓存,当新数据包到达时将它们存储在 SRAM 的区域中。当区域填满时,通过将数据写入快闪存储器来清空它。如果数据包无序到达,或者在新的应用程序二进制文件中存在间隙,这可能会变...
    文章 2018-12-07 1397浏览量
  • Atmel开发出面向下一代物联网、工业和汽车应用

    Atmel®|SMART Cortex-M微控制器使客户能够提升性能、SRAM和系统功能,同时保持了Cortex-M级产品简单易用和最好的软件重复使用等特点。第一版器件运行最高可达300MHz,高达 384kByte SRAM可配置为紧密耦合内存(TCM...
    文章 2017-09-04 1047浏览量
  • 一窥 ARM 的 AI 处理器

    这里,本地 SRAM,VRF 和 PLE 之外的 Maing SRAM Unit(CE 中的 SRAM)之间有 Load/Store 单元和 uDMA 实现数据的传输,数据流也是比较灵活的。综合来看,在 MLP 中,每个 CE 中都有一个 PLE 和 MCE 配合,即每个 ...
    文章 2018-05-30 1221浏览量
  • DDR的前世与今生

    SRAM速度非常快,是早期读写最快的存储设备了,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的内存需要很大的体积,且功耗较大;同时它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓存,二级...
    文章 2017-07-02 1126浏览量
  • STM32的内存管理相关(内存架构,内存管理,map文件...

    RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/...
    文章 2022-08-08 13浏览量
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