Foveros可用于开发高性能、高密度和低功耗的3D堆叠芯片。
半个世纪前，英特尔创始人之一戈登·摩尔提出“摩尔定律”（Moore's Law），从这以后，芯片厂商们多遵从这一定律生产芯片。而近年来，“摩尔定律”被其他厂商唱衰，本该是芯片“鼻祖”的英特尔也在技术上渐渐落后于竞争对手。在此次的架构日，英特尔展示了他们的众多下一代技术和已经做出的创新，其中就包括业界首个3D堆叠逻辑芯片。
据媒体报道，12月11日，英特尔召开架构沟通会。会上，英特尔向参会者介绍了其基于10nm的PC、数据中心和网络系统，并分享了其在处理器、架构、存储、互连、安全和软件等六个工程领域的技术战略。其中，热度最高的莫过于新开发的首个3D封装架构“Foveros”，它可以说是英特尔面对其他从业者质疑“摩尔定律”的最好回应。
近年来多次出现“摩尔新片唱衰论”。用很小的体积做到高性能，是现在芯片技术的主要方向，但是又要小，又要做到性能高，厂商们若再运用“摩尔定律”制造芯片，无疑难度很大。如今制作芯片的困难主要来自于材料上，当芯片制程达到10nm时，栅氧化层的厚度变薄，会产生诸多量子效应，晶体管很容易漏电。当其他厂商接连研制出10nm、7nm制程的芯片时，一直使用“摩尔定律”的英特尔反而把本该在今年7月份就宣布发布的10nm制程工艺推迟到了明年年末。
而此次推出的Foveros技术则是对“摩尔定律”的延续。英特尔表示，Foveros可以做到将计算电路堆叠，并快速地将它们连接到一起，从而将更多的计算电路组装到单个芯片上，实现高性能、高密度和低功耗。
2019年下半年，英特尔将开始使用Foveros推出一系列产品，其首款产品将结合高性能10nm计算堆叠小芯片和低功耗22FFL基础芯片。
英特尔芯片架构主管拉贾·科杜里（Raja Kosuri）表示，他们在这20年里，一直研究这项技术。堆叠以前曾在内存芯片中使用，但英特尔是第一家将该技术应用到所谓的“逻辑”芯片中的公司。
“落后”的英特尔，这次要走在前面了。
