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HI3531的nand flash测试

2013-12-20 1152
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简介： <p> </p> <p>void NAND_Init()<br> {<br>    *(unsigned int *)(0x20030000 + 0xd0) = 7; delay_x(0X5000);<br>    *(unsigned int *)(0x20030000 + 0xd0) = 6; delay_x(0X5000);<br>    *(unsigned int *)

 

void NAND_Init()
{
   *(unsigned int *)(0x20030000 + 0xd0) = 7; delay_x(0X5000);
   *(unsigned int *)(0x20030000 + 0xd0) = 6; delay_x(0X5000);
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x1fc) = 0;//muxctrl_reg127 NF_DQ0 管脚复用控制寄存器
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x200) = 0;
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x204) = 0;
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x208) = 0;
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x20C) = 0;
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x210) = 0;
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x214) = 0;
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x218) = 0;//7
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x21C) = 0;
   *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x220) = 0;
//p626
   *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X00) = 0x85;//NFC_CON
   *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X04) = 0x666;//NFC_PWIDTH 为读写脉冲宽度配置寄存器。
   *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X24) = 0x0;//NFC_INTEN 为中断使能寄存器
   delay_x(0X500);

}
void NAND_Read_Page()
{
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X10) = 0x0;//NFC_ADDRL 为低位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X14) = 0x0;//NFC_ADDRH 为高位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X0c) = 0x00003000;//NFC_CMD 为命令字配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X18) = 0x800;
     delay_x(0X500);
   
                                     //地址周期 cmd1_en addr_wen data_wen  cmd2_en ready/busy data_ren  read_stus_en
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 5<<9 | 1<<6 | 1<<5    | 0<<4     | 1<<3  |1<<2      | 1<<1     | 0;//0xa6e;//NFC_OP 为操作寄存器。
     delay_x(0X500);
    
     retu = *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X20) ;//NFC_STATUS 为状态寄存器。
     delay_x(0X5000);
}


void NAND_Read_Random()
{
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X10) = 0x0;//NFC_ADDRL 为低位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X14) = 0x0;//NFC_ADDRH 为高位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X0c) = 0x0000e005;//NFC_CMD 为命令字配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X18) = 0x20;
     delay_x(0X500);
   
   
    //*(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 0x46e;//NFC_OP 为操作寄存器。
                                     //地址周期 cmd1_en addr_wen data_wen  cmd2_en ready/busy data_ren  read_stus_en
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 2<<9 | 1<<6 | 1<<5    | 0<<4     | 1<<3  |1<<2      | 1<<1     | 0;////NFC_OP 为操作寄存器。
     delay_x(0X500);  
     retu = *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X20) ;//NFC_STATUS 为状态寄存器。
     delay_x(0X5000);
}
void NAND_Write_Page()
{
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X10) = 0x0;//NFC_ADDRL 为低位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X14) = 0x0;//NFC_ADDRH 为高位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X0c) = 0x00001080;//NFC_CMD 为命令字配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X18) = 8;
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(0x50000000) = 0x11223344;
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(0x50000004) = 0x55667788;
     delay_x(0X500);
   
   
 //   *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 0xa7d;//NFC_OP 为操作寄存器。
                                     //地址周期 cmd1_en addr_wen data_wen  cmd2_en ready/busy data_ren  read_stus_en
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 5<<9 | 1<<6 | 1<<5    | 1<<4     | 1<<3  |1<<2      | 0<<1     | 0;//NFC_OP 为操作寄存器。
     delay_x(0X500);
     retu = *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X20) ;//NFC_STATUS 为状态寄存器。
     delay_x(0X5000);
}

void NAND_ReadID()
{
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X10) = 0x20;//NFC_ADDRL 为低位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X14) = 0x0;//NFC_ADDRH 为高位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X0c) = 0x00000090;//NFC_CMD 为命令字配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X18) = 5;
     delay_x(0X500);
   
   
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 0x266;//NFC_OP 为操作寄存器。
     delay_x(0X500);
     retu = *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X20) ;//NFC_STATUS 为状态寄存器。
     delay_x(0X5000);
}
void NAND_Erase_Block()
{
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X10) = 0x0;//NFC_ADDRL 为低位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X14) = 0x0;//NFC_ADDRH 为高位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X0c) = 0x0070d060;//NFC_CMD 为命令字配置寄存器。
     delay_x(0X500);
      
    //*(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 0x66c;//NFC_OP 为操作寄存器。
                                     //地址周期 cmd1_en addr_wen data_wen  cmd2_en ready/busy data_ren  read_stus_en
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 3<<9 | 1<<6 | 1<<5    | 0<<4     | 1<<3  |1<<2      | 0<<1     | 0;//0xa6e;//NFC_OP 为操作寄存器。
     delay_x(0X500);
    retu = *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X20) ;//NFC_STATUS 为状态寄存器。
    delay_x(0X5000);
}


int  NAND_test(unsigned int data)
{
     int i=0;
     UART_Init();
     NAND_Erase_Block();
     //写数据
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X10) = 0x0;//NFC_ADDRL 为低位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X14) = 0x0;//NFC_ADDRH 为高位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X0c) = 0x00001080;//NFC_CMD 为命令字配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X18) = 0x800;
     delay_x(0X500);
     for(i=0;i<(0x800/4);i++)
     {
        *(unsigned int *)(0x50000000 + i*4) = data;
        delay_x(0X500);
     }

 //   *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 0xa7d;//NFC_OP 为操作寄存器。
                                     //地址周期 cmd1_en addr_wen data_wen  cmd2_en ready/busy data_ren  read_stus_en
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 5<<9 | 1<<6 | 1<<5    | 1<<4     | 1<<3  |1<<2      | 0<<1     | 0;//NFC_OP 为操作寄存器。
     delay_x(0X500);
     retu = *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X20) ;//NFC_STATUS 为状态寄存器。
     //读数据
     NAND_Read_Page();
     //随即读
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X10) = 0x0;//NFC_ADDRL 为低位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X14) = 0x0;//NFC_ADDRH 为高位地址配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X0c) = 0x0000e005;//NFC_CMD 为命令字配置寄存器。
     delay_x(0X500);
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X18) = 0x800;
     delay_x(0X500);
   
   
    //*(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 0x46e;//NFC_OP 为操作寄存器。
                                     //地址周期 cmd1_en addr_wen data_wen  cmd2_en ready/busy data_ren  read_stus_en
    *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X1c) = 2<<9 | 1<<6 | 1<<5    | 0<<4     | 1<<3  |1<<2      | 1<<1     | 0;////NFC_OP 为操作寄存器。
     delay_x(0X500);  
     retu = *(unsigned int *)(NANDC_ADDR +0X20) ;//NFC_STATUS 为状态寄存器。
     //判断数据是否正确。
     for(i=0;i<(0x800/4);i++)
     {
        retu = *(unsigned int *)(0x50000000 + i*4);
        if(retu != data)
           return 1;
        delay_x(0X500);
     }
    
     return 0;
}

 

 retu2[0] = NAND_test(0x00000000);
 retu2[1] = NAND_test(0xffffffff);
 retu2[2] = NAND_test(0x5a5a5a5a);
 retu2[3] = NAND_test(0xa5a5a5a5);
 retu2[4] = NAND_test(0x12345678);
 retu = retu2[0]+retu2[2]+retu2[1]+retu2[3]+retu2[4];

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内存技术
关键词：
测试flash
flash测试
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