S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器。S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性:
l 一个引导启动单元
l Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand flash
l 软件模式:用户可以直接访问Nand Flash存储器,此特性可以用于Nand Flash存储器的读、擦除和编程。
l S3C2440支持8/16位的Nand Flash存储器接口总线
l 硬件ECC生成,检测和指示(软件纠错)。
l Steppingstone接口,支持大/小端模式的按字节/半字/字访问。
我用的开发板是天嵌的TQ2440,板子用到的Nand Flash是Samsung公司的K9F2G08U0A,它是8位的Nand flash。本文只介绍Nand Flash的电路原理和Nand Flash的读、写、擦除等基本操作,暂不涉及Nand Flash启动程序的问题。
Nand Flash的电路连接如图 1所示:
图 1 Nand Flash电路原理
上图的左边为K9F2G08U0A与2440的连接图,原理方面就不多介绍,去看看datasheet估计就懂得了,右边的部分是S3C2440的Nand控制器的配置。配置引脚NCON,GPG13,GPG14和GPG15用来设置Nand Flash的基本信息,Nand控制器通过读取配置引脚的状态获取外接的Nand Flash的配置信息,图 2是这四个配置引脚的定义:
图 2 Nand控制配置引脚信息
由于K9F2G08U0A的总线宽度为8位,页大小为2048字节,需要5个寻址命令,所以NCON、GPG13和GPG14应该接高电平,GPG15应该接低电平。
K9F2G08U0A没有地址或数据总线,只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。K9F2G08U0A主要以page(页)为单位进行读写,以block(块)为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区,main区用于正常数据的存储,spare区用于存储一些附加信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。K9F2G08U0A的存储阵列如图 3所示:
图 3 K9F2G08U0A内部存储阵列
由上图,我们可以知道:K9F2G08U0A的一页为(2K+64)字节(2K表示的是main区容量, 64表示的是spare区容量),它的一块为64页,而整个设备包括了2048个块。这样算下来一共有2112M位容量,如果只算main区容量则有256M字节(即256M×8位)。
图 4 K9F2G08U0A地址序列
要实现用8个IO口来要访问这么大的容量,如图 4所示:K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。第一个周期访问的地址为A0~A7;第二个周期访问的地址为A8~A11,它作用在IO0~IO3上,而此时IO4~IO7必须为低电平;第三个周期访问的地址为A12~A19;第四个周期访问的地址为A20~A27;第五个周期访问的地址为A28,它作用在IO0上,而此时IO1~IO7必须为低电平。前两个周期传输的是列地址,后三个周期传输的是行地址。通过分析可知,列地址是用于寻址页内空间,行地址用于寻址页,如果要直接访问块,则需要从地址A18开始。由于所有的命令、地址和数据全部从8位IO口传输,所以Nand flash定义了一个命令集来完成各种操作。有的操作只需要一个命令(即一个周期)即可,而有的操作则需要两个命令(即两个周期)来实现。K9F2G08U0A的命令说明如图 5所示:
图 5 K9F2G08U0A命令表
为了方便使用,我们宏定义了K9F2G08U0A的常用命令
#define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1
#define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2
#define CMD_READID 0x90 //读ID命令
#define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1
#define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2
#define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1
#define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2
#define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令
#define CMD_RESET 0xff //复位
#define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0 //随意读命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE 0x85 //随意写命令
接下来介绍几个Nand Flash控制器的寄存器。Nand Flash控制器的寄存器主要有NFCONF(Nand Flash配置寄存器),NFCONT(Nand Flash控制寄存器),NFCMMD(Nand Flash命令集寄存器),NFADDR(Nand Flash地址集寄存器),NFDATA(Nand Flash数据寄存器),NFMECCD0/1(Nand Flash的main区ECC寄存器),NFSECCD(Nand Flash的spare区ECC寄存器),NFSTAT(Nand Flash操作状态寄存器),NFESTAT0/1(Nand Flash的ECC状态寄存器),NFMECC0/1(Nand Flash用于数据的ECC寄存器),以及NFSECC(Nand Flash用于IO的ECC寄存器)。
(1)NFCONF:2440的NFCONF寄存器是用来设置NAND Flash的时序参数TACLS、TWRPH0、TWRPH1。配置寄存器的[3:0]是只读位,用来指示外部所接的Nand Flash的配置信息,它们是由配置引脚NCON,GPG13,GPG14和GPG15所决定的(比如说K9F2G08U0A的配置为NCON、GPG13和GPG14接高电平,GPG15接低电平,所以[3:0]位状态应该是1110)。
(2)NFCONT:用来使能/禁止NAND Flash控制器、使能/禁止控制引脚信号nFCE、初始化ECC。它还有其他功能,在一般的应用中用不到,比如锁定NAND Flash。
(3)NFCMMD:对于不同型号的Flash,操作命令一般不一样。参考前面介绍的K9F2G08U0A命令序列。
(4)NFADDR:当写这个寄存器时,它将对Flash发出地址信号。只用到低8位来传输,所以需要分次来写入一个完整的32位地址,K9F2G08U0A的地址序列在图4已经做了详细说明。
(5)NFDATA:只用到低8位,读、写此寄存器将启动对NAND Flash的读数据、写数据操作。
(6)NFSTAT:只用到位0,用来检测NAND是否准备好。0:busy,1:ready。
NFCONF寄存器使用TACLS、TWRPH0、TWRPH1这3个参数来控制NAND Flash信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的时序关系,它们之间的关系如图6和图7所示:
图6 CLE/ALE时序图
图7 nWE和nRE时序图
TACLS为CLE/ALE有效到nWE有效之间的持续时间,TWRPH0为nWE的有效持续时间,TWRPH1为nWE无效到CLE/ALE无效之间的持续时间,这些时间都是以HCLK为单位的。通过查阅K9F2G08U0A的数据手册,我们可以找到并计算与S3C2440相对应的时序:K9F2G08U0A中的Twp与TWRPH0相对应,Tclh与TWRPH1相对应, TACLS应该是与Tcls相对应。K9F2G08U0A给出的都是最小时间, 2440只要满足它的最小时间即可。TACLS、TWRPH0、TWRPH1这三个变量取值大一些会更保险,在这里,这三个值分别取1,2和0。
下面就开始详细介绍K9F2G08U0A的基本操作,包括复位,读ID,页读、写数据,随意读、写数据,块擦除等。
为了更好地应用ECC和使能Nand Flash片选,我们还需要一些宏定义:
#define NF_nFCE_L() {rNFCONT &= ~(1
#define NF_CE_L() NF_nFCE_L() //打开nandflash片选
#define NF_nFCE_H() {rNFCONT |= (1
#define NF_CE_H() NF_nFCE_H() //关闭nandflash片选
#define NF_RSTECC() {rNFCONT |= (1
#define NF_MECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1
#define NF_MECC_Lock() {rNFCONT |= (1
#define NF_SECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1
#define NF_SECC_Lock() {rNFCONT |= (1
NFSTAT是另一个比较重要的寄存器,它的第0位可以用于判断nandflash是否在忙,第2位用于检测RnB引脚信号:
#define NF_WAITRB() {while(!(rNFSTAT&(1
#define NF_CLEAR_RB() {rNFSTAT |= (1
#define NF_DETECT_RB() {while(!(rNFSTAT&(1
//等待RnB信号变高,即不忙
NFCMMD,NFADDR和NFDATA分别用于传输命令,地址和数据,为了方便起见,我们可以定义一些宏定义用于完成上述操作:
#define NF_CMD(data) {rNFCMD = (data); } //传输命令
#define NF_ADDR(addr) {rNFADDR = (addr); } //传输地址
#define NF_RDDATA() rNFDATA) //读32位数据
#define NF_RDDATA8() (rNFDATA8) //读8位数据
#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA = (data); } //写32位数据
#define NF_WRDATA8(data) {rNFDATA8 = (data); } //写8位数据
首先,是初始化操作
void rNF_Init(void)
{
rNFCONF = (TACLS
rNFCONT =
(0
rNF_Reset();//复位芯片
}
复位操作,写入复位命令
static void rNF_Reset()
{
NF_CE_L(); //打开nandflash片选
NF_CLEAR_RB(); //清除RnB信号
NF_CMD(CMD_RESET); //写入复位命令
NF_DETECT_RB(); //等待RnB信号变高,即不忙
NF_CE_H(); //关闭nandflash片选
}
读取K9F2G08U0A芯片ID的操作如下:时序图在datasheet的figure18。首先需要写入读ID命令(0x90),然后再写入0x00地址,并等待芯片就绪,就可以读取到一共五个周期的芯片ID,第一个周期为厂商ID,第二个周期为设备ID,第三个周期至第五个周期包括了一些具体的该芯片信息,函数如下
static char rNF_ReadID()
{
char pMID;
char pDID;
char cyc3, cyc4, cyc5;
NF_nFCE_L(); //打开nandflash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_READID); //读ID命令
NF_ADDR(0x0); //写0x00地址
for ( i = 0; i
//读五个周期的ID
pMID = NF_RDDATA8(); //厂商ID:0xEC
pDID = NF_RDDATA8(); //设备ID:0xDA
cyc3 = NF_RDDATA8(); //0x10
cyc4 = NF_RDDATA8(); //0x95
cyc5 = NF_RDDATA8(); //0x44
NF_nFCE_H(); //关闭nandflash片选
return (pDID);
}
下面介绍Nand Flash读操作,读操作是以页为单位进行的。如果在读取数据的过程中不进行ECC校验判断,则读操作比较简单,在写入读命令的两个周期之间写入要读取的页地址,然后读取数据即可。如果为了更准确地读取数据,则在读取完数据之后还要进行ECC校验判断,以确定所读取的数据是否正确。
在上文中已经介绍过,Nand Flash的每一页有两区:main区和spare区,main区用于存储正常的数据,spare区用于存储其他附加信息,其中就包括ECC校验码。当我们在写入数据的时候,我们就计算这一页数据的ECC校验码,然后把校验码存储到spare区的特定位置中,在下次读取这一页数据的时候,同样我们也计算ECC校验码,然后与spare区中的ECC校验码比较,如果一致则说明读取的数据正确,如果不一致则不正确。ECC的算法较为复杂,好在S3C2440能够硬件产生ECC校验码,这样就省去了不少的麻烦事。S3C2440既可以产生main区的ECC校验码,也可以产生spare区的ECC校验码。因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此S3C2440共产生4个字节的main区ECC码和2个字节的spare区ECC码。在这里我们规定,在每一页的spare区的第0个地址到第3个地址存储main区ECC,第4个地址和第5个地址存储spare区ECC。
产生ECC校验码的过程为:在读取或写入哪个区的数据之前,先解锁该区的ECC,以便产生该区的ECC。在读取或写入完数据之后,再锁定该区的ECC,这样系统就会把产生的ECC码保存到相应的寄存器中。main区的ECC保存到NFMECC0/1中(因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此这里只用到了NFMECC0),spare区的ECC保存到NFSECC中。对于读操作来说,我们还要继续读取spare区的相应地址内容,以得到上次写操作时所存储的main区和spare区的ECC,并把这些数据分别放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相应位置中。最后我们就可以通过读取NFESTAT0/1(因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此这里只用到了NFESTAT0)中的低4位来判断读取的数据是否正确,其中第0位和第1位为main区指示错误,第2位和第3位为spare区指示错误。
下面是一段具体的页读操作程序:
U8 rNF_ReadPage( U32 page_number )
{
U32 i, mecc0, secc;
NF_RSTECC(); //复位ECC
NF_MECC_UnLock(); //解锁main区ECC
NF_nFCE_L();//使能芯片
NF_CLEAR_RB();//清除RnB
NF_CMD(CMD_READ1); //页读命令周期1,0x00
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0-A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8-A11
NF_ADDR((addr) & 0xff); //行地址A12-A19
NF_ADDR((addr >> 8) & 0xff); //行地址A20-A27
NF_ADDR((addr >> 16) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_READ2); //页读命令周期2,0x30
NF_DETECT_RB(); ////等待RnB信号变高,即不忙
for (i = 0; i
{
buf[i] = NF_RDDATA8();//读取一页数据内容
}
NF_MECC_Lock(); //锁定main区ECC值
NF_SECC_UnLock(); //解锁spare区ECC
mecc0=NF_RDDATA(); //读spare区的前4个地址内容,即第2048~2051地址,这4个字节为main区的ECC
//把读取到的main区的ECC校验码放入NFMECCD0/1的相应位置内
rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)
rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);
NF_SECC_Lock(); //锁定spare区的ECC值
secc=NF_RDDATA(); //继续读spare区的4个地址内容,即第2052~2055地址,其中前2个字节为spare区的ECC值
//把读取到的spare区的ECC校验码放入NFSECCD的相应位置内
rNFSECCD=((secc&0xff00)
NF_nFCE_H(); //关闭nandflash片选
//判断所读取到的数据是否正确
if ((rNFESTAT0&0xf) == 0x0)
return 0x66; //正确
else
return 0x44; //错误
}
这段程序是把某一页的内容读取到全局变量数组buffer中。该程序的输入参数直接就为K9F2G08U0A的第几页,例如我们要读取第128064页中的内容,可以调用该程序为:rNF_ReadPage(128064)。由于第128064页是第2001块中的第0页(128064=2001×64+0),所以为了更清楚地表示页与块之间的关系,也可以写为:rNF_ReadPage(2001*64)。
页写操作的大致流程为:在两个写命令周期之间分别写入页地址和数据,当然如果为了保证下次读取该数据时的正确性,还需要把main区的ECC值和spare区的ECC值写入到该页的spare区内。然后我们还需要读取状态寄存器,以判断这次写操作是否正确。下面就给出一段具体的页写操作程序,其中输入参数也是要写入数据到第几页:
U8 rNF_WritePage(U32 page_number)
{
U32 i, mecc0, secc;
U8 stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(page_number>>6); //判断该块是否为坏块
if(temp == 0x33)
return 0x42; //是坏块,返回
NF_RSTECC(); //复位ECC
NF_MECC_UnLock(); //解锁main区的ECC
NF_nFCE_L(); //打开nandflash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_WRITE1); //页写命令周期1
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
for (i = 0; i
{
NF_WRDATA8((char)(i+6));
}
NF_MECC_Lock(); //锁定main区的ECC值
mecc0=rNFMECC0; //读取main区的ECC校验码
//把ECC校验码由字型转换为字节型,并保存到全局变量数组ECCBuf中
ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff);
ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8) & 0xff);
ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16) & 0xff);
ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24) & 0xff);
NF_SECC_UnLock(); //解锁spare区的ECC
//把main区的ECC值写入到spare区的前4个字节地址内,即第2048~2051地址
for(i=0;i
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}
NF_SECC_Lock(); //锁定spare区的ECC值
secc=rNFSECC; //读取spare区的ECC校验码
//把ECC校验码保存到全局变量数组ECCBuf中
ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff);
ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8) & 0xff);
//把spare区的ECC值继续写入到spare区的第2052~2053地址内
for(i=4;i
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}
NF_CMD(CMD_WRITE2); //页写命令周期2
delay(1000); //延时一段时间,以等待写操作完成
NF_CMD(CMD_STATUS); //读状态命令
//判断状态值的第6位是否为1,即是否在忙,该语句的作用与NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H(); //关闭Nand Flash片选
//判断状态值的第0位是否为0,为0则写操作正确,否则错误
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//标注该页所在的块为坏块
if (temp == 0x21)
return 0x43 //标注坏块失败
else
return 0x44; //写操作失败
}
else
return 0x66; //写操作成功
}
该段程序先判断该页所在的坏是否为坏块,如果是则退出。在最后写操作失败后,还要标注该页所在的块为坏块,其中所用到的函数rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock,我们在后面介绍。我们再总结一下该程序所返回数值的含义,0x42:表示该页所在的块为坏块;0x43:表示写操作失败,并且在标注该页所在的块为坏块时也失败;0x44:表示写操作失败,但是标注坏块成功;0x66:写操作成功。
擦除是以块为单位进行的,因此在写地址周期是,只需写三个行周期,并且要从A18开始写起。与写操作一样,在擦除结束前还要判断是否擦除操作成功,另外同样也存在需要判断是否为坏块以及要标注坏块的问题。下面就给出一段具体的块擦除操作程序:
U8 rNF_EraseBlock(U32 block_number)
{
char stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(block_number); //判断该块是否为坏块
if(temp == 0x33)
return 0x42; //是坏块,返回
NF_nFCE_L(); //打开片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_ERASE1); //擦除命令周期1
//写入3个地址周期,从A18开始写起
NF_ADDR((block_number
NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_ERASE2); //擦除命令周期2
delay(1000); //延时一段时间
NF_CMD(CMD_STATUS); //读状态命令
//判断状态值的第6位是否为1,即是否在忙,该语句的作用与NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H(); //关闭Nand Flash片选
//判断状态值的第0位是否为0,为0则擦除操作正确,否则错误
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6); //标注该块为坏块
if (temp == 0x21)
return 0x43 //标注坏块失败
else
return 0x44; //擦除操作失败
}
else
return 0x66; //擦除操作成功
}
该程序的输入参数为K9F2G08U0A的第几块,例如我们要擦除第2001块,则调用该函数为:rNF_EraseBlock(2001)。
K9F2G08U0A除了提供了页读和页写功能外,还提供了页内地址随意读、写功能。页读和页写是从页的首地址开始读、写,而随意读、写实现了在一页范围内任意地址的读、写。随意读操作是在页读操作后输入随意读命令和页内列地址,这样就可以读取到列地址所指定地址的数据。随意写操作是在页写操作的第二个页写命令周期前,输入随意写命令和页内列地址,以及要写入的数据,这样就可以把数据写入到列地址所指定的地址内。下面两段程序实现了随意读和随意写功能,其中随意读程序的输入参数分别为页地址和页内地址,输出参数为所读取到的数据,随意写程序的输入参数分别为页地址,页内地址,以及要写入的数据。
U8 rNF_RamdomRead(U32 page_number, U32 add)
{
NF_nFCE_L(); //打开Nand Flash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_READ1); //页读命令周期1
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_READ2); //页读命令周期2
NF_DETECT_RB(); //等待RnB信号变高,即不忙
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1); //随意读命令周期1
//页内地址
NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列地址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列地址A8~A11
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2); //随意读命令周期2
return NF_RDDATA8(); //读取数据
}
U8 rNF_RamdomWrite(U32 page_number, U32 add, U8 dat)
{
U8 temp,stat;
NF_nFCE_L(); //打开Nand Flash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_WRITE1); //页写命令周期1
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_RANDOMWRITE); //随意写命令
//页内地址
NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列地址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列地址A8~A11
NF_WRDATA8(dat); //写入数据
NF_CMD(CMD_WRITE2); //页写命令周期2
delay(1000); //延时一段时间
NF_CMD(CMD_STATUS); //读状态命令
//判断状态值的第6位是否为1,即是否在忙,该语句的作用与NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H(); //关闭Nand Flash片选
//判断状态值的第0位是否为0,为0则写操作正确,否则错误
if (stat & 0x1)
return 0x44; //失败
else
return 0x66; //成功
}
下面介绍上文中提到的判断坏块以及标注坏块的那两个程序:rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock。在这里,我们定义在spare区的第6个地址(即每页的第2054地址)用来标注坏块,0x44表示该块为坏块。要判断坏块时,利用随意读命令来读取2054地址的内容是否为0x44,要标注坏块时,利用随意写命令来向2054地址写0x33。下面就给出这两个程序,它们的输入参数都为块地址,也就是即使仅仅一页出现问题,我们也标注整个块为坏块。
U8 rNF_IsBadBlock(U32 block)
{
return rNF_RamdomRead(block*64, 2054);
}
U8 rNF_MarkBadBlock(U32 block)
{
U8 result;
result = rNF_RamdomWrite(block*64, 2054, 0x33);
if(result == 0x44)
return 0x21; //写坏块标注失败
else
return 0x60; //写坏块标注成功
}
关于Nand Flash的基本操作就介绍到这吧