根据外电报导，全球最大记忆体厂韩国三星电子已不打算牺牲利润抢市占率，报道指出，因为记忆体价格自去年以来跌幅太多，三星可能会大砍今年资本支出40亿美元，约较去年减少31％，这代表DRAM及NAND Flash市场供给过剩情况将获得改善，价格将逐渐回稳。
法人指出，若三星真的在月底法说会中，说明今年投入存储器的资本支出将明显减少的话，的确有助于DRAM及NAND Flash价格回稳，其中，DRAM市场的反应会比较明显，价格有机会出现较大的反弹幅度，对于国内DRAM厂南亚科（2408）、华邦电（2344）等将是一大利多。
外电报导，外资分析师推估今年全球存储器资本支出将较去年减少4％，约达502亿美元，其中减幅最大的是龙头大厂三星电子，今年投入记忆体事业的资本支出将较去年减少40亿美元规模，年减幅度高达31％。
其中，三星的DRAM产能有70％转换至20奈米制程后，DRAM的资本支出将较去年减少26亿美元，而三星的西安NAND Flash厂开始量产后，NAND Flash资本支出也会下修10亿美元左右。
至于韩国另一存储器大厂SK海力士应该也会跟进。报告中预估，SK海力士会较着重于将DRAM制程微缩至20奈米，但不太可能大幅投资3D NAND，因为3D NAND的平均价格并不高，却有很高的技术门槛。
业界会有此推估，主要是因为DRAM价格去年大幅下滑，已经压缩到存储器厂的获利能力。由于三星未来发展策略更看重获利能力，因此，减少资本支出及扩产是很有可能的事，在此一情况下，全球DRAM及NAND Flash的供给量都不会出现失控情况，而且随着智慧型手机搭载的DRAM及NAND Flash容量提高，将可有效让价格出现回稳情况。
集邦科技旗下拓墣产业研究所先前就预估，三星电子今年可能会则逆势调降整体资本支出约15％，预估会来到115亿美元。拓墣表示，2016年三星的智慧型手机业务拓展仍不乐观，除加速开发创新业务，将更加重视晶圆代工业务，采取积极抢单的策略。2016年三星115亿美元的资本支出中，大规模集成电路业务会维持与2015年35亿美元的相同水准。
原文发布时间为：2016年04月21日
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