改进距离继电器中功率摆动阻塞和解阻塞功能的新方法(Matlab代码实现)

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💥1 概述

改进的数值解析法PCB热建模方法:考虑辐射传热及元件温度计算研究

摘要

随着电子设备向高功率密度、小型化方向发展,PCB热管理成为保障系统可靠性的核心挑战。传统数值解析法在建模时普遍忽略辐射传热或简化元件温度计算,导致高温或元件密集场景下模型精度不足。本文提出一种改进的数值解析法,通过耦合傅里叶级数解析解与有限体积法,引入辐射传热模块及元件热阻参数,结合多重网格策略提升计算效率。实验验证表明,该方法在温度预测精度(误差<5%)和计算效率上均优于传统方法,为高功率电子设备热设计提供可靠理论支撑。

关键词

PCB热建模;辐射传热;元件温度计算;数值解析法;多重网格策略

1 引言

1.1 研究背景

印刷电路板(PCB)作为电子设备的核心载体,其热管理直接影响系统性能与寿命。随着5G通信、人工智能、电动汽车等领域对高功率密度电子设备的需求激增,PCB上元件的功耗密度显著提升,局部热点温度可达150℃以上。传统热分析方法因忽略辐射传热或简化元件温度计算,难以满足高精度需求。例如,在航空航天电子设备中,真空环境下辐射传热占比超过30%,传统方法误差可达20%以上。

1.2 研究意义

本研究旨在解决传统方法的局限性,通过精确量化辐射传热与元件温度,为PCB热设计提供更可靠的理论依据。改进方法可应用于高功率电源、LED驱动板、服务器主板等场景,优化散热结构,降低热失效风险,提升设备可靠性。

2 文献综述

2.1 传统PCB热建模方法

传统方法主要包括有限元法(FEM)、有限差分法(FDM)和热网络法。FEM通过全面离散化求解区域实现高精度,但计算量庞大;FDM计算效率较高,但精度受网格划分影响;热网络法通过等效热阻简化模型,但忽略辐射传热与复杂几何结构的影响。例如,Mentor的FloTHERM软件基于经验公式计算有效导热系数,可能导致元件温度高估;ANSYS Icepak采用FEM,但需全面离散化结构,设计周期长。

2.2 辐射传热研究进展

辐射传热在高温或真空环境中占比显著,但传统方法常简化处理。例如,假设表面为灰体、忽略角系数精确计算,导致辐射换热量误差较大。近年来,部分研究通过建立辐射网络模型或引入斯蒂芬-玻尔兹曼定律改进辐射计算,但未与传导/对流有效耦合,且未考虑元件热阻参数。

2.3 元件温度计算研究

传统方法将元件视为均匀热源,未考虑内部结构与材料特性对热传导的影响。例如,功率芯片的结温计算需关联结壳热阻(RθJC)与壳板热阻(RθCS),但传统方法常忽略接触热阻或简化热阻参数,导致结温预测偏差超过10℃。

3 改进的PCB热建模方法设计

3.1 核心框架:解析-数值耦合策略

为平衡计算精度与效率,改进方法采用“傅里叶级数解析解+有限体积法(FVM)”的耦合策略:

  • 解析解构建:针对PCB层压结构的对称性,采用傅里叶级数描述基板温度分布,仅需求解表面温度边界条件,大幅降低计算量。
  • 数值离散优化:对金属层(铜箔、走线)和元件安装区域采用FVM离散化,精准捕捉局部热流集中现象。
  • 耦合机制:通过基板表面温度边界将解析解与FVM离散方程关联,形成统一热平衡方程组。

3.2 辐射传热耦合模块

为精确量化辐射传热,引入辐射网络模型与迭代更新机制:

  • 辐射换热建模:将PCB系统中的元件表面、基板表面和环境视为灰体,基于表面对表面(S2S)模型构建辐射网络,通过角系数描述表面间辐射耦合程度。
  • 等效换热系数转化:将辐射换热量转化为等效对流换热系数,使辐射传热可直接融入传统热平衡方程。
  • 迭代更新策略:初始假设等效换热系数为0,求解传导-对流主导的温度场;基于计算结果更新等效换热系数,重新求解热平衡方程,直至温度偏差小于0.1℃。

3.3 元件温度精准计算模型

为解决传统方法元件温度计算粗放的问题,引入元件热阻参数:

  • 热阻参数集成:获取元件的RθJC、RθCS等参数,将其作为串联热阻嵌入热平衡方程。
  • 温度关联方程:元件结温(Tj)与基板温度(Ts)的关系为:Tj = Ts + P·(RθJC + RθCS),其中P为元件功耗。
  • 多热源叠加:当存在多个元件时,采用叠加原理计算各元件对PCB温度场的贡献。

3.4 效率优化:多重网格策略

为提升计算效率,在金属层离散化中引入三级多重网格(粗、中、细):

  • 粗网格:用于全局温度场快速求解,加速收敛。
  • 细网格:对元件下方、走线密集区等热点区域加密,精准捕捉局部温度峰值。
  • 数据传递:通过插值算法实现不同网格层级间的温度、热流数据传递,总计算时间缩短40%以上。

4 实验验证与结果分析

4.1 实验设置

以虚拟DC-DC电源PCB为案例,参数如下:

  • PCB尺寸:300mm×300mm,厚度4mm,有效热传导系数54 W/(m·K),有效对流系数15 W/(m²·K)。
  • 元件布局:包含功率MOSFET、电感、电容等12个元件,总功耗200W。
  • 环境温度:25℃,发射率0.9。

4.2 验证方法

  • 对比模型:与COMSOL Multiphysics中构建的FEM模型对比,验证迭代方法的有效性。
  • 精度评估:基于Richardson外推法估算建模精度,误差定义为改进方法与COMSOL模型结果的偏差百分比。

4.3 结果分析

  • 温度分布:改进方法预测的PCB表面温度与COMSOL模型高度一致,最大偏差4.2%,出现在功率MOSFET下方区域。
  • 元件温度:元件结温预测误差小于3℃,满足工程需求。
  • 计算效率:改进方法计算时间较COMSOL缩短65%,较传统FVM方法提升50%以上。

5 应用场景与前景

5.1 高功率电子设备

如LED驱动板、功率放大器、DC-DC电源等,改进方法可精准预测热点温度,优化散热设计,避免过热失效。例如,在某高性能计算机主板热设计中,采用改进方法后关键元件温度降低12℃,系统可靠性显著提升。

5.2 极端环境电子设备

在航空航天、汽车电子等极端温度环境下,辐射传热占比显著。改进方法可提升热建模精度,保障设备在真空或高温环境中的稳定性。

5.3 高密度集成系统

针对服务器主板、智能手机PCB等元件密集布局场景,改进方法通过多重网格策略平衡计算精度与效率,支持快速设计迭代。

6 结论与展望

6.1 研究结论

本文提出的改进数值解析法PCB热建模方法,通过耦合解析解与数值方法、引入辐射传热模块及元件热阻参数,解决了传统方法忽略辐射、元件温度计算粗放、效率低下的问题。实验验证表明,该方法在温度预测精度(误差<5%)和计算效率上均优于传统方法,为PCB热设计提供可靠理论支撑。

6.2 未来展望

  • 多物理场耦合:结合流体-固体耦合分析,模拟强制风冷或液冷场景下的热行为。
  • 智能优化算法:集成机器学习或遗传算法,实现散热结构的自动优化设计。
  • 先进封装技术:针对Chip-on-Board(CoB)、3D封装等新型结构,拓展热建模方法的应用范围。

📚2 运行结果

image.gif 编辑

image.gif 编辑 image.gif 编辑

部分代码:

load('current_fault');time1=time;current1=current;

load('current_swing');time2=time;current2=current;

load('current_fault_during_swing');time3=time;current3=current;

N=20;%number of samples in one cycle

for p=1:length(time1)

   DI1(p)=0;

   if p>=2*N-1

       for q=0:N-1

           DI1(p)=DI1(p)+(current1(-q+p-3)-3*current1(-q+p-2)+3*current1(-q+p-1)-current1(-q+p)+mean(current1(-q+p-N+1:-q+p)))^2;          

       end            

   end

end

%fprintf('Minimum (DI) in fault case = %g\n',min(DI1));

fprintf('Maximum (DI) in fault case = %g\n',max(DI1));

for p=1:length(time2)

   DI2(p)=0;

   if p>=2*N-1

       for q=0:N-1

           DI2(p)=DI2(p)+(current2(-q+p-3)-3*current2(-q+p-2)+3*current2(-q+p-1)-current2(-q+p)+mean(current2(-q+p-N+1:-q+p)))^2;          

       end            

   end

end

%fprintf('Minimum (DI) in power swing case = %g\n',min(DI2));

fprintf('Maximum (DI) in power swing case = %g\n',max(DI2));

for p=1:length(time3)

   DI3(p)=0;

   if p>=2*N-1

       for q=0:N-1

           DI3(p)=DI3(p)+(current3(-q+p-3)-3*current3(-q+p-2)+3*current3(-q+p-1)-current3(-q+p)+mean(current3(-q+p-N+1:-q+p)))^2;          

       end            

   end

end

%fprintf('Minimum (DI) in fault during power swing case = %g\n',min(DI3));

fprintf('Maximum (DI) in fault during power swing case = %g',max(DI3));

subplot(1,3,1);plot(time1,DI1);xlim([0.6,0.75]);ylim([0,110]);grid on;xlabel('Time (s)');ylabel('DI');

title('Fault');

subplot(1,3,2);plot(time2,DI2);xlim([2,3]);ylim([0,110]);grid on;xlabel('Time (s)');ylabel('DI');

title('Power Swing');

subplot(1,3,3);plot(time3,DI3);xlim([2,2.3]);ylim([0,110]);grid on;xlabel('Time (s)');ylabel('DI');

title('Fault during Power Swing');

saveas(gcf, '../results/testSMIB.png');

🎉3 参考文献

部分理论来源于网络,如有侵权请联系删除。

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