延续摩尔定律: 新型超平面锡氧半导体材料有望让芯片提速百倍-阿里云开发者社区

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延续摩尔定律: 新型超平面锡氧半导体材料有望让芯片提速百倍

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近年来,半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下,但是新材料的出现,或可让它迎来又一个拐点。美国犹他州大学的工程师们,已经发现了一种由一氧化锡制成、只有单原子厚度的新型平面材料。这种材料可让电荷以更快的速度通过,远胜硅与其它3D材料。相比之下,在传统电子设备上,电荷会以各个方向穿过晶体管、以及玻璃衬底上其它由硅层组成的部件。

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采用锡氧材料打造的更快的半导体器件

直到近年,工程师们才更多地将目光放到了诸如石墨烯(graphene)、二硫化钼(molybdenum disulfide)、硼墨烯(borophene)等2D材料上。

领导这项研究的Ashutosh Tiwari教授称其强制电子“仅在单层上以快得多的速度通过”,是加快填补电子新材料缺口的一个重要组成部分。

与石墨烯和其它近似原子厚度的材料不同,其同时允许负电子和正正电荷穿过,因此研究团队将之描述为“现有首种稳定P型2D半导体材料”。

我们现在已经拥有了一切,事物将会以快得多的速度推进。

团队认为这种材料可用于制造比当前所使用的更小、更快的晶体管,让计算机和移动设备的运行速度提升百倍,同时温度更低、效率更高,并且延长电池的续航。

当前该领域异常火热,人们对它深感兴趣。有鉴于此,我们有望在2到3年内看到一些原型设备。

这项研究已经发表于本周出版的《先进电子材料》(Advanced Electronic Materials)期刊上。


本文转自d1net(转载)

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