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NAND Flash供不应求,第三季品牌商营收大幅季成长19.6%

简介:

TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 最新调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端 2D-NAND 转进 3D-NAND 所导致的整体产出减少,第三季 NAND Flash 开始涨价,使得 NAND Flash 原厂营收季成长 19.6%,营业利益率也较上季大幅进步。

DRAMeXchange 研究协理杨文得表示,第四季各项终端设备出货进入今年最高峰,预估整体 NAND Flash 供不应求的市况将更为显著,各项 NAND Flash 产品的合约价涨幅将更高,厂商的营收与营业利益率也可望再创今年新高。

三星电子

由于第三季中国智能手机品牌对于高容量 eMMC/UFS 的需求强劲,让三星成为最大赢家。三星在高容量的 eMMC/UFS 与 eMCP 市占率领先同业,企业级 SSD 产品更借出色的性价比出货强劲。第三季三星 NAND Flash 位出货量季成长约 20%,营收季成长约 20%。

展望第四季,智能手机的需求将带动高容量 eMMC/UFS 与 eMCP 的需求攀升至年度高点,再加上三星在用户级、企业级 SSD 的市占率增加,预估第四季三星的营运表现将较第三季更出色。

SK 海力士

同样受惠中国智能手机的 eMMC/eMCP 需求,及其他品牌新机上市的备货需求带动,使得第三季 SK 海力士 NAND Flash 位出货量季增 12%,平均销售单价更季成长 7%,营收亦大幅季增 20.3%,至 10.61 亿美元。

SK 海力士 3D-NAND Flash 的产能在今年底前将达每月 2~3 万片,第三代 3D-NAND Flash 明年第一季可开始放量出货,第四代的 3D-NAND Flash 有机会在明年下半开始少量生产。

东芝电子

同样受惠于整体 NAND Flash 市况好转,东芝电子在其会计年度 2016 年第二季(7~9月)位出货量季增 15%,平均销售单价跌幅减缓,整体营收季增约 17%,营业利益率也呈现季成长,营运表现渐入佳境。

产能规划部分,东芝电子现有第二半导体厂已全力生产 3D-NAND Flash,第四季产能达每月 4 万片,待 2017 年 64 层堆叠的 3D-NAND Flash 顺利量产后,产能提升速度将更快,而其第六半导体厂房新建计划,将从明年 2 月开始动工。

威腾电子

从威腾电子 2017 会计年度第一季相关 NAND Flash 的表现来看,其 64 层堆叠的 3D-NAND Flash 是投资焦点。目前 64 层堆叠的 3D-NAND Flash 产品正处 OEM 客户测试阶段,预计今年 12 月起率先使用在卡片及U盘等产品上,而其 48 层堆叠的产品已在 eMMC/eMCP 等移动式 NAND 及外插式产品线上量产。

现阶段 15 纳米 2D-NAND Flash 仍为威腾电子主流制程,良率及成本效益都已达最佳化,因此对利润提升有很大帮助,2017 年威腾电子的 NAND Flash 位产出成长率预期将达 45%。

美光

美光 2016 会计年度第四季(6~8 月)位出货量季成长 13%,平均销售单价下滑 1%,非挥发性内存(Non-Volatile)营收季成长约 10%,至 10 亿美元,在产品营收比重上,Component base 略微下降至 50%、移动式 NAND 产品微幅上升至 18%、SSD 则占 13%、车用及其他类别占约 19%。

美光 3D-NAND Flash 架构的移动式 NAND 在客户端得到不错评价外,用户级 SSD 也已开始量产出货,而企业级 SSD 位出货量更大幅季成长逾 45%。此外,等到美光 3D-NAND Flash(TLC)版本成为主流后,将可改善美光 SSD 的成本架构。

英特尔

第三季英特尔 NAND Flash 位出货量大幅季增 25% 以上,营收也季成长 17%,至 6.49 亿美元,结束连续 3 季的衰退。

从产品规划来看,虽然英特尔 16 纳米与 20 纳米依旧为产品组合大宗,但自第三季起其 3D-NAND Flash 的企业级固态硬盘已顺利出货放量,性价比已较上个世代产品更具竞争力。在产能规划上,英特尔大连厂第四季产能约为每月 1 万片,至明年开始将逐季提升。

本文转自d1net(转载)

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