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在MTK开发过程中，难免遇到Flash型号的改变。本文着重以选定的Flash型号为条件，对代码进行配置，以适应自己的开发需求。
本文Flash以MemoCom公司的KS03208AB为例进行设置，32Mb(nor flash)+8Mb(pseudo sRAM)，custom\system\"项目名"\custom_MemoryDevice.h中设置下面前四项
1. 设置flash型号：
Flash型号可设置为：NOR_RAM_MCP，LPSDRAM，
本文KS03208AB属于 NOR MCP(NOR+PRAM)系列的则设为：
#define MEMORY_DEVICE_TYPE NOR_RAM_MCP
2. Flash Part_num配置：
打开tools\MemoryDeviceList\MemoryDeviceList_Since07AW0736.xls，文件名跟MTK源码版本有关，不一定相同。这个文件里面有 Flash厂商名，总大小，页大小，片选，指令系列(AMD或Inter)，分区信息，时序等相关设置。
在该文件中查找和自己flash型号一直的Part_num,本文设置如下：
#define CS0_PART_NUMBER KI03208AB //nor flash #define CS1_PART_NUMBER KS03208AB //sram
3. Flash访问类型设置：
#define FLASH_ACCESS_TYPE ASYNC_ACCESS #define RAM_ACCESS_TYPE ASYNC_ACCESS
4. 用户分区设置：
#define PARTITION_SECTORS 0
如果flash空间不足，或者没有特殊要求可以设置用户分区为0，这样能大大降低成本。
5. NVRAM分区设置
手机的一些配置参数存储必须掉电不丢失，可以通过Flash,EEPROM 进行存储。MTK通过硬件抽象层进行了处理，底层的存储对用户是透明的。对于NOR flash NVRAM分区可以通过：
tools\MemoryDeviceList\MemoryDeviceList_Since07AW0736.xls文件进行配置，我们的项目因为flash只有4MB，给NVRAM预留了640KB，可以设置
Last Bank列中的Region为：
{0x10000, 10},
0x10000为每个扇区的大小为64KB，10为扇区数，总共大小64KB*10=640KB。
6. EMI时序配置
一般常用的Flash， MemoryDeviceList_Since07AW0736.xls文件中时序已经配置好了，但不常用的Flash可能还需要自己配置时序。对Flash操作要参考对应的Flash硬件手册，结合MTK EMI寄存器配置相应章节计算RLT(读等待状态)，PRLT(页读等待状态)，C2RS(读建立时间)，WST(写等待状态)，C2WS(写建立时间)等时序状态所用的时钟周期，对照MTK EMI寄存器，得出最终的EMI时序相关的配置。
