2016年第一季度，SSD全球出货量达3077.7万块，相比于2015年Q1季度的2319万片，同比猛增32.7％。SSD正在快速抢占HDD市场份额，HDD出货量也因此出现持续大幅度下滑。
对于闪存颗粒行业来说，2016年也是革命性的一年。随着TLC颗粒、3D-NAND技术的不断完善，3D闪存如一匹势头强劲的“黑马”闯入了闪存市场。
从平面到3D 闪存迈入摩天大楼时代
为提升存储容量，传统平面NAND的制程工艺已从最初的50nm发展到今天的9/10nm，虽然存储密度一再增加，却已基本到达制程工艺的物理极限。
然而3D闪存则不同，它使用了3D NAND立体空间堆叠技术，提供比现有2D闪存更大的存储空间，且（每单位容量）成本比现有2D NAND更低。另一方面，由于3D NAND无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元来增加容量密度，其可靠性和性能也更出色。
目前业内普遍存在的3D NAND堆栈层数已经达到32-48层，厂商们还在持续研发更高层数的堆栈技术。上海宝存信息科技有限公司技术总监徐伟曾在今年6月举行的“2016中国闪存峰会”上指出，当3D NAND 技术达到100层堆叠时将遇到成本的拐点，因此其成本优化空间非常巨大。而宝存也将基于3D NAND技术更新其现有产品，并表示在一个季度后升级宝存的6.4T旗舰产品至12.8T，更将于2017年推出单卡容量25T以上的产品。
现在，宝存要兑现他当初的承诺了。
拓宽现有应用场景 宝存科技三箭齐发
身为专注闪存卡研发的国内厂商，宝存科技自2011年创办以来，先后推出了全球第一块单卡6.4TB 的PCIe Flash产品，中国第一块8639接口PCIe Flash存储盘，全球第一个基于全局FTL的通用PCIe-RAID系统。
宝存此次推出的新品包括：Shannon Hyper-IO NVMe SSD，Direct-IO PCIe Flash-G4I，Direct-IO PCIe FlashU.2。虽然详细参数尚未公布，但据宝存透露，为提高固态硬盘的耐用性和速度,三款闪存新品皆采用了业界最先进的3D NAND技术。与此同时，宝存凭借其极高的控制器的生产水平和长期自主研发原生PCIE的优势，完美解决了3D NAND相较平面NAND更容易出现的电子泄露问题。
容量方面，实现了PCIe SSD单卡可扩展至12.8T，U.2 SSD单卡可扩展至9.6T的全球最大单卡容量。另外，此次推出的NVMe SSD产品还将采用宝存自己深度化定制的ASIC NVMe 控制器，以及新的接口标准和新的容量高度等，全面拓宽其现有应用场景。
深耕市场 不忘初心
自2011年创办以来，宝存坚持在闪存卡领域深耕与研发。并凭借长期的技术积累，以多样化的产品服务于互联网、电商、运营商、能源、交通、金融、教育、医疗、政府和企业等各个行业。
为应对多元化市场，宝存更自主研发了高可用性及高性能的企业级SSD产品和存储阵列解决方案。从主流的SATA接口Hyper-IO SATA Flash -S3C，到性能抢眼的PCIe Flash-G4系列，再到近期即将发布的Hyper-IO NVMe SSD，其产品容量的可扩展性及低功耗等特点在行业中引起了广泛关注。
宝存表示，从企业级市场的需求来看，基于SATA接口的SSD在未来两年内还将持续保持增长态势，因此宝存还将继续推出自己的SATA SSD产品。另外，宝存也将凭借此次即将发布的Hyper-IO NVMe SSD产品，填补其之前并未覆盖到的NVMe市场空白。最终通过PCIE、SATA、NVMe全线产品，实现垂直市场覆盖力，增加自身市场竞争力。与此同时，宝存也将继续运用自身的绝对核心技术独立运营，发挥本土企业优势，持续与包括本土服务器厂商、系统集成商和软件开发商在内的生态伙伴开展紧密合作。
据悉，宝存科技将于11月24日携以上三款SSD闪存新品亮相“GITC全球互联网技术大会”。向业界详细解读宝存对3D NAND的理解，及其背后承载的先进技术。让我们共同见证全新SSD的产品诞生，看宝存如何重新定义3D闪存。
本文转自d1net（转载）
