近年来我国一直在大力发展半导体产业，而存储器芯片是其中最热门的重点关注领域之一。作为集成电路的三大品类之一，存储器芯片广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域。对电子产品而言，存储器芯片就像粮食一样不可或缺。
存储器芯片巨头动态观察：三星、美光、SK海力士都在做什么？
存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如DRAM，电脑中的内存条。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH和NOR FLASH），NOR主要应用于代码存储介质中，而NAND则用于数据存储。在整个存储器芯片里面，主要有的三种产品是：DRAM、NOR FLASH和Nand FLASH。其中DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断，占比达到90%以上。
AI存储器商机可期 传三星拟大幅增产DRAM
专为高效能AI（人工智能）处理器与服务器打造的3D堆叠DRAM，传三星计划增产三十倍。
3D堆叠DRAM采用硅穿孔（Through Silicon Via）技术，可将DRAM芯片垂直堆叠，由于进出通道加宽，传输速度也大幅加快。
韩国媒体ETnews引述产业消息报导指出，三星最近向设备供应商订购新型20台热压接合封装机（TCB），这是硅穿孔技术的必要设备，且按理来说，新机具产出是原有机台的八倍。
新TCB机台今年底可就定位，预估届时三星硅穿孔制程产能将可增加三十倍之多。
英特尔与Nvidia现均朝AI积极发展，也都是三星潜在客户群。除此之外，日前有消息指出苹果正在开发AI专属芯片，将用以处理脸部与语音识别等工作，可应用于iPhone与iPad等装置，三星显然已嗅到这股AI存储器的新商机就在不远处。
美光力拼13纳米DRAM、SK海力士冲刺18纳米
三星电子制程领先，率先量产18纳米DRAM，把同业抛在脑后。竞争对手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。
外媒报道，三星是DRAM龙头，制程领先对手1~2年，2016年下半年首先量产18纳米DRAM，计划今年下半年推进至15纳米。研究机构估计，今年底为止，三星打算把18纳米DRAM的生产比重，提高至30%。业界人士说，三星会以利润优先，不会扩产抢市，打乱价格。
三星一马当先，DRAM第三大厂美光拼命追赶，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。
与此同时，SK海力士也准备在今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM，接着再投入移动设备用的18纳米DRAM。SK海力士会优先提高21纳米制程良率，之后转进20纳米、再转向18纳米。SK海力士人员透露，该公司正在研发1y DRAM制程，但是还不确定量产时间。
在此之前，三星电子的韩国华城厂(Hwaseong)，即将扩产的传闻延烧许久。最新消息显示，三星决定投资3万亿韩元(约26.4亿美元)提升DRAM产能。不过由于未来11线不再生产DRAM，产能一增一减之下，应该不至于冲击DRAM供给。
韩媒曾报导，业界消息指出，三星半导体业务部门将扩充华城厂17线的DRAM产能，生产10纳米等级的DRAM。三星已告知设备厂扩产计划，并在三月份向部分业者下单，估计投资金额约为2.5万亿~3万亿韩元，完工后每月增产3.5万片300公厘的硅晶圆，预定今年下半初步生产。
三星华城厂为综合晶圆厂，17线生产DRAM、11线生产图像传感器和DRAM、16-2线生产3D NAND Flash、S3线生产10纳米系统半导体。如今11线将转为全数生产图像传感器CMOS和CIS，不再生产DRAM。三星为了弥补产能损失，决定扩大17线的DRAM产能。相关人士表示，此一投资是为了弥补11线产能缩减和制程微缩损失，对DRAM供需几乎没有影响。
本文转自d1net（转载）
