中国存储器发展已然爆发，下一阶段将是进一步完善顶层设计，助力产业持续发展。2016年是“十三五”的开局之年，随着第一阶段目标的顺利完成，《推进纲要》的实施工作也正式开启了第二阶段的序幕。4月19日召开的“网络安全和信息化座谈会”上，特别突出了信息技术对国民经济发展的巨大促进作用，并从基础技术、通用技术，非对称技术、“杀手锏”技术，前沿技术、颠覆性技术等三个方面对核心信息技术发展进行了部署，对新时期集成电路产业发展提出更高的要求。
随着《中国制造2025》、“互联网+”行动指导意见等一系列国家战略的持续深入实施，中国集成电路产业将继续保持平稳快速的发展态势。预计全年产业销售额将超过4300亿元，同比增速约20%。与此同时，从产业结构来看，芯片设计业比重将进一步提升至约40%，可以为下游芯片制造和封装测试环节带来大量订单，有效推动产业链的协同发展。
同时，存储器产品布局有望全面铺开。今年以来，武汉，深圳、合肥、泉州等多地拟布局或开工建设存储器芯片生产线。全球存储器业自1999年始，历经六次大的兼并与退出，厂家数量越来越少，至今为止DRAM方面只剩下三家，包括三星、海力士和美光。而闪存方面也只有三星、东芝/闪迪、海力士以及美光/英特尔等四组。存储芯片领域很久没有“新进者”出现了。中国此轮“存储热潮”既说明《推进纲要》第一阶段实施工作已取得显著成果，也预示着下一轮全球存储器发展的中心将逐步向中国转移。
另外，中资“海淘”受审查壁垒影响步伐将趋缓。自2015年以来，全球半导体产业兼并重组、资本并购频发，全年并购总金额超过1200亿美元，中国企业（或者资本）也积极参与到这一进程之中。美国外商投资委员会（CFIUS）一份报告指出，近三年中资并购案居美国国安审查首位，约占总数近1/5。中国如此大规模的并购行为也引发了各国高度警戒，纷纷采取防止关键技术外流的措施。CFIUS近一年来以威胁美国国家安全为由，封杀了多起中资参与的并购案，当前，中国集成电路产业正处于快速上升期，国际并购是支撑这一阶段发展的有效途径，但由于操作层面经验不足，在一定程度上引起了国际产业界的抵触情绪。
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