1、半导体分类
2、PN结
3、二极管
伏安特性：
我们第七版模电书上给的正向导通压降分别约为0.7和0.2V，且硅的单向导电性更好
如何确定二极管状态？
阳极电压 > 阴极电压：导通
阳极电压 < 阴极电压：截止
若未给二极管的导通压降，视为理想，为0V
4、稳压二极管
要么导通（正接正），要么稳压（正接负），稳压管的稳压区是其工作在 反向击穿区
5、三极管
b、c、e的三个电压中：中间的为b ，离b 近的为e ，离b 远的为c
对于硅来说：ub-ue = 0.7
对于锗来说：ub-ue = 0.3
三极管工作于放大区时：
对于NPN型有：uc>ub>ue
对于PNP型有：uc<ub<ue
三极管：电流放大，ic = βib，ib控制ic，电流控制型
场效应管：电压放大，iD = f(uGS)，电压控制电流，电压控制型
三极管的三种状态：
放大状态：发射结正偏，集电结反偏；
饱和状态：发射结、集电结均正偏；
截止状态：发射结、集电结均反偏
如何判断正反偏？
看uP是否大于uN，大于则正偏，否则反偏。
比如NPN型中：
若ub>uc则集电结正偏；
若ub>ue则发射结正偏。
三极管工作在放大状态
内部条件：发射区掺杂浓度高，基区薄且掺杂浓度低，集电区面积大。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
温度升高，三极管的反向饱和电流ICBO增大，发射结的正向导通电压UBE降低。
关于三极管内电流流向？
两入一出，NPN型：出就是指发射极流出，此时另外两个的方向与发射极相反，都流入
一入两出，PNP型：入就是指发射极流入，此时另外两个的方向与发射极相反，都流出
对于复合管同样适用
6、场效应管
箭头向内为N沟道，向外为P沟道
只有一根线为结型
两根线，第二根线断开为增强型，第二根线连接为耗尽型
很明显重点就是三极管！
