东芝半导体与储存产品公司研发推出新一代N通道MOSFET 30V及60V系列，皆以U-MOS IX-H沟槽式半导体制程为基础设计，此设计已被使用于降低导通电阻，在各种不同载量下带来最佳效率；同时也可降低输出电容。适用于通信设备、伺服器和Data center及网通产品的电源供应器；最新的制程技术，将有助于提高电源的效率。
以U-MOS IX-H沟槽式制程为基础，进而发展双面散热各式规格的高效能小型化封装，东芝欧洲分部已开始对原使用低压MOSFET 40V的客户推广30V与60V的新封装产品。在DSOP封装的散热效率上有显着改善；目前双面散热全系列皆可在台湾区提供样品测试。
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
在VGS为10V时，30V MOSFET的最大导通电阻仅0.6mΩ，Coss的标准值是2160pF。60V产品提供的导通电阻及Coss的标准值：1.3mΩ及960pF。这可确保加强在既定应用上优化性能的灵活性。
此二款MOSFET U-MOS IX-H 30V与60V系列均可用于薄型表面黏着封装DSOP Advance，两者的PCB面积仅5mm x 6mm。选用DSOP Advance方案可显着地帮助降低系统的温度，使设计上允许使用较小的散热片或省去散热片。此外，所有的MOSFET可操作的通道温度达175℃。
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