台积电芯片代工独大,三星开始破局

简介:

韩国科技大厂三星电子日前宣布,公司已组成一个新的芯片代工业务部门,未来与台积电等代工厂商争夺客户。

市场预估这将给芯片代工市场带来重大的变数,而且也可能改变当前芯片代工市场台积电一家独大的态势。

相较台积电的领先优势,格罗方德在 2015 年透过三星的获取授权投产 14 纳米 FinFET 制程后,可发现在制程研发方面已落后三星和台积电。

至于,联电则在 2017 年第 1 季才量产 14 纳米 FinFET 制程,而中芯国际则正积极发展 28 纳米 HKMG 制程量产,预计 2019 年才会投产 14 纳米 FinFET 制程。

就以上的情况分析,在台积电技术一家独大的情况下,也就获得了全球芯片企业的青睐。包括苹果、华为海思、联发科、AMD、NVIDIA等都是客户。

不过,这也引发了新的问题,那就是由于新制程投产初期的产能有限,但是苹果却又要求优先获得其先进的制程产能的情况下,这导致华为海思和联发科等可能受到排挤。

因此,就在高通转向与三星合作后,台积电与华为海思合作开发 16 纳米制程,并于 2014 年量产。

随后,双方继续合作将该制程改良为 16 纳米FinFET制程,并于 2015 年第 3 季投产,苹果当时成为了台积电 16 纳米 FinFET 制程的首个客户。

因此,2016 年华为海思并没有等待新一代的 10 纳米制程的量产,而是选择了成熟的 16 纳米 FinFET 制程,确保麒麟 960 能按时投产上市。

至于,联发科的高端芯片 helio X30 和 P35 在 2016 年选择押宝台积电的 10 纳米制程。

不过,受台积电的 10 纳米制程量产时间延迟,以及良率问题,使得 X30 错失上市时机。

因此,联发科计划改选择以 12 纳米 FinFET 制程生产中端芯片 P30,以回应高通新推出的 S660/630 中端行动行动芯片。

而得到高通订单的三星,其 14 纳米 FinFET 制程于 2015 年第 1 季投产,这是它首次在芯片制程方面领先于台积电。

接下来在 2016 年 10 月三星宣布其正式量产 10 纳米制程,其采用该制程所生产出高通的高端芯片骁龙 835 也在 2017 年用于自家的手机Galaxy S8 智能手机上,再次于制程上获得领先台积电的优势。

而再往下一代的 7 纳米制程上,台积电与三星皆同时积极发展中。虽然台积电表示 7 纳米制持进展顺利,但是考虑到 2017 年的 10 纳米制程量产时间上较三星落后,加上第 3 季可能将忙于用 10 纳米制程生产苹果的 A11 处理器,并且也积极采用 12 纳米 FinFET 制程帮助华为海思和联发科等生产芯片的情况下,三星反而可能在 10 纳米制程产能趋于稳定下,能全力投入 7 纳米制程的研发。

因此,届时 7 纳米制程谁能真的领先,当前还犹未可知。

所以,就过去在 16 纳米 FinFET 制程和 10 纳米制程上的经验可以看出,台积电在先进制程投产的初期,很难同时满足高通和苹果这两个大客户对先进制程产能的需求。

因此,导致台积电与三星都仅能获得高通或苹果其中一个客户,另一个客户都只能选择另一个芯片代工企业。

因此,高通在 10 纳米制程上选择由三星代工,一方面是因为产能有保证,另一方面是希望借此获得三星手机采用它的芯片。

至于联发科,市场也传闻为了获得三星手机的订单,因此将转由三星代工的可能。

而 NVIDIA 则是主要考量先进制程的产能和代工价格问题,这方面三星在争取 A9 处理器的代工订单时,在价格方面就比台积电更有弹性。

因此,三星争取 NVIDIA 等企业的订单可能性就更大。

总之,在三星设立芯片代工部门后,台积电在芯片代工市场将受到三星更大的挑战,市场当然也欢迎这种竞争。

因为此前由台积电一直领先时,芯片代工价格居高不下的情况,有机会随着三星加大竞争力道,使得未来的代工价格将有望走低。

在这样情况下,更有可能进一步影响到市场的生态状况。

本文转自d1net(转载)

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