1.MOS管
下面就是MOS管
G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边
下面是N沟道和P沟道，就是意味着MOS管分为NMOS和PMOS。
从MOS管实物识别管脚
无论是NMOS还是PMOS。按上图方向摆正，中间的一脚为D，左边为G，右边为S。或者这么记：单独的一脚为D，逆时针转DGS。
1.1MOS管工作原理
先看MOS开关实现的功能？？
1>信号切换
2>电压通断
MOS管用作开关时在电路中的连接方法？
1>确定那一极连接输入端，那一极连接输出端
2>控制极电平为？V 时MOS管导通
3>控制极电平为？V 时MOS管截止
NMOS假如：S接输入，D接输出，由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。PMOS假如：D接输入，S接输出，同样失去了开关的作用。
MOS管的开关条件？
这里仔细介绍一下
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|
1.2 MOS管的主要参数
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述.
NMOS等效模型：
下面说一些MOS管重要参数
①封装
一般来说封装越大，它能承受的电流越大。
②类型
NMOS/PMOS
③cgs
它影响到了mos管的打开速度。因为加载到gata端的电压首先要给电容充电，这就导致GS的电压不能一下到达给定的一个数值。
④导通阻抗Rds
这个电阻数值当然是越小越好，电阻越小分压分的越小。发热也越低。但价格也越高。
⑥栅极阈值电压Vgs(th)
1.3 选择MOS管
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
MOS管分为NMOS和PMOS。由于MOS接地，该MOS管构成了低压侧开关。故选择NMOS管。
确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件 的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。
//由于总线电压是30V，所以说最大承受电压选择我设置为30v
法则之二：确定MOS管的额定电流
该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电 流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确 定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
法则之三：选择MOS管的下一步是系统的散热要求须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板 及其MOS管的散热。
雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。
法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过 程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。
通过查阅参数形式
这里遇到了SOP23 还是SC70这些参数。这些是什么意思呢？通过查阅得到
SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状（L 字形）。材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封装标准有mos管SOP8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用sop8规格，业界往往把“P”省略，叫SOP（Small Out-Line ）。
mos管sop8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
mos管sop8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
这里由于具体电路没有搭建，所只假定选择SOP的额定电压为30V的NMOS。
