手持读数仪VH501TC设置振弦传感器的激励方法和电压

简介: 采集仪对振弦传感器激励:也称为“激振”,是振弦类传感器频率数据获取的必须过程,仅当传感器收 到合适的激励信号后才能产生自振,而仅当振弦传感器产生自振后才能输出频率信号,进一步的,读数电路会检测并读取振弦传感器的自振信号,才能通过计算得到 振动频率值。

手持读数仪VH501TC振弦传感器激励方法和激励电压
手持振弦读数仪VH501TC  3.jpg

采集仪对振弦传感器激励:也称为“激振”,是振弦类传感器频率数据获取的必须过程,仅当传感器收 到合适的激励信号后才能产生自振,而仅当振弦传感器产生自振后才能输出频率信号,进一步的,读数电路会检测并读取振弦传感器的自振信号,才能通过计算得到 振动频率值。振弦传感器的激励信号(能够使传感器产生自振的外部信号)一般分 为两类,一类为高压短促脉冲,一类为特定频率的多组连续低压脉冲信号。

高压脉冲激励:使用较高电压(100~200V)向振弦传感器线圈发送短促脉冲,使任意频率的振弦传感器产生自振的过程或方法。

低压扫频激励:使用与传感器自振频率相当(接近)的频率向振弦传感器发送连续 的低压(3~10V)脉冲信号,使传感器产生自振的过程或方法。

VH501TC 提供多种振弦传感器激励方法,以最大限度兼容更多型号的振弦传感器。 振弦传感器激励方法参数位于实时数据窗口右侧,共有 5 种方法可选,分别用MODTH0~MODTH4 表示。各种方法说明如下:
振弦传感器激励方法.jpg

激励电压数据在屏幕上显示为 xxx/xxx 的形式,其中前面的数字表示实际的激励电压,后面的数字表示激励电压源电压 VSEN。 高压脉冲激励和低压扫频激励方法所使用的电源均来自于 VSEN,相对来说,使用比较高的 VSEN 时能得到更好的传感器信号,但有些传感器必须使用比较低的 VSEN 电压才会得到稳定的频率数据。VH501TC 有两个版本, 当需要修改激励方法或者激励电压源时, 若设备背面有两个旋转开关,则直接旋转开关即可; 若没有旋转开关时需要用上述操作按键的方法进行参数修改。 激励方法旋转开关的档位含义与上表相同, 激励电压旋转开关的档位 0~15 表示设置 VSEN 为 0~15V(前 5 档固定为 5V)。
背面激励方法与电压设置.jpg

注意: 建议 VSEN 的电压不要超过 12V, 推荐设置为 5~8V。 如果 VSEN 电压设置太高, 测量某些小阻值(小于 200 欧姆) 传感器时会有传感器或者设备损坏的危险。在使用过程中,应注意观察显示于屏幕中的振弦信号质量值,针对某类或者某些传感器,不同的激励方法对信号质量影响会很大,激励方法的切换和使用应以信号质量最高为选取标准。

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