2022国赛A题环形振荡器的优化设计

简介: 芯片是指内含集成电路的硅片,在我们日常生活中的手机、电脑、电视、家 用电器等领域都会使用到,是高端制造业的核心基石。芯片的制造工艺非常复杂, 要经历上千道工序经过复杂工艺加工制造。尤其是数字芯片,随着工艺尺寸的不 断缩小,数字芯片的优化设计变得尤为重要。


A 题 环形振荡器的优化设计

 

芯片是指内含集成电路的硅片,在我们日常生活中的手机、电脑、电视、家 用电器等领域都会使用到,是高端制造业的核心基石。芯片的制造工艺非常复杂, 要经历上千道工序经过复杂工艺加工制造。尤其是数字芯片,随着工艺尺寸的不 断缩小,数字芯片的优化设计变得尤为重要。

而环形振荡器是数字时钟芯片中的一种重要的结构,其设计中有三个重要的 指标需要考虑:速度、面积和功耗。速度是指电路运行的时钟频率,一般来说, 速度越快,能处理的数据量就越多,性能越好。面积是指电路的物理实现需要占 用硅片的面积,占用的面积越小,芯片成本越低。功耗是指电路工作所消耗的能 量,功耗越低,发热量也越低,设备工作的时间更长,使用寿命越久。速度、面 积、功耗是互相牵制的,在相同的制造工艺 (制程) 以及相同的电路条件下,一 般来说,速度越快,晶体管尺寸越小,功耗也越高,反之亦然。相关概念与参数 介绍见附录 1。

请阅读相关文档说明,回答下列问题。

\1. 环形振荡器的频率公式为 **f** = 1/ (2**n**![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/80ef440c195e56cd28cb5ef4c73f3174.jpeg)**t****pd** ) ,其中n为反相器的个数,**t****pd** 为 单级反相器的延迟时间。反相器的负载电容与下一级的反相器的栅极面积成正比, 为 2nF/ μm2 。反相器工作时的电流公式可以分为以下两个阶段:饱和区和线性 区。两个阶段的公式为:

**I****d** =〈![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/873fa68dc033ba7a54762ed3acb8cfec.jpeg)**K** ![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/b86940fdfbde5dcd49d75d55f73d3553.jpeg)![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/c5038bdb8215f8a5183b5a7bdb56e39f.jpeg)(**V****K****g**![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/503fe65370343cdf28cac4a17793ccae.jpeg)![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/2b64e28e5ce85c407e7669476394886f.jpeg)![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/e16f7f50485a239f7821634ac4761eb8.jpeg)**V****ds****V****gs**

式中,**V****gs**表示栅源之间的电压,**V****ds**表示漏源之间电压,**V****th**表示阈值电压。 请根据以上内容,计算表 1 中不同设计方案的环形振荡器的输出频率。

表 1  环形振荡器输出频率计算表

 

| 序号 | 反相器 个数 | PMOS 宽 长比 | NMOS 宽 长比 | 电源电压/V | 输出频率 |

| ---- | ----------- | ------------ | ------------ | ---------- | -------- |

| 1    | 11          | 400n/ 100n   | 200n/ 100n   | 1 2        |          |

| 2    | 11          | 800n/200n    | 400n/200n    | 1.2        |          |

| 3    | 11          | 1.6u/0.4u    | 0.8u/0.4u    | 1.2        |          |

 

 

| 4    | 31   | 200n/ 100n | 400n/ 100n | 1.2  |      |

| ---- | ---- | ---------- | ---------- | ---- | ---- |

| 5    | 31   | 400n/200n  | 800n/200n  | 1.2  |      |

| 6    | 31   | 0.8u/0.4u  | 1.6u/0.4u  | 1.2  |      |

| 7    | 51   | 500n/ 100n | 500n/ 100n | 1.2  |      |

| 8    | 51   | 1000n/200n | 1000n/200n | 1.2  |      |

| 9    | 51   | 1.8u/0.3u  | 1.8u/0.3u  | 1.2  |      |

| 10   | 99   | 2u/0 5u    | 1u/0 5u    | 1 2  |      |

 

\2.  环形振荡器的版图见附录 1 。在环形振荡器的输出频率**f**为 10MHz ,反相 器个数为 51 时, 问NMOS和PMOS的**W**和**L**的尺寸为多少时,环形振荡器所需面 积将达到最小。

\3. 功耗最小是环形振荡器设计最主要的目标。请对环形振荡器重新进行设

计,在环形振荡器的输出频率**f**为 5MHz时, 问反相器个数和晶体管的**W**及**L**尺寸 为多少时,环形振荡器所需功耗最小?

\4.  芯片在流片时一般会选择多项目晶圆 (MPW) ,即多个芯片在同一张晶 圆上拼版制作,共同承担流片费用。拼版规则是在一块大小为 3mm*4mm的晶圆 上摆放所有芯片如图 1 所示,芯片之间通过划片道 (红色实线) 隔离开 (划片道 为 80um宽,且划片道的数量要尽可能的少,否则容易对其它芯片造成损伤) 。 现有 7 块芯片,其中6 块芯片面积固定 (见表2) ,剩余一块芯片面积待定。接 第 3 问,在输出频率为 2KHz时,如何设计环形振荡器的尺寸,在追求功耗最小

的前提下力求第 7 个芯片位置上安放更多的环形振荡器?

![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/a7dc53c321c1644b088b8ff8ff4e6c7f.png)  

图 1  拼版示意图

 

表 2  芯片面积

| 序号                                                         | 1    | 2      | 3     | 4     | 5    | 6    |

| ------------------------------------------------------------ | ---- | ------ | ----- | ----- | ---- | ---- |

| ![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/c8d6ebebef89657e654b5f49d02a2a3e.png)mm | 1.76 | 1.046  | 1.096 | 1.05  | 1.77 | 1.5  |

| ![img](https://typora-1302845125.cos.ap-beijing.myqcloud.com//typora/53974d908a0c8ef3a5e7792c11f531f1.png)mm | 1.46 | 1. 146 | 0.846 | 2. 16 | 0.8  | 0.5  |

 


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