IGBT工作原理和特性介绍
IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，是由BJT（双极晶体管）和IGFET（Insulated Gate Field Effect Transistor）组成的复合全控电压驱动功率半导体器件。它兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降的优点。
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