2.4.3 半导体放大技术
SOA 的结构和工艺作用原理与半导体激光器非常相似。它由有源区和无源区构成：有源区为增益区，使用磷化铟这样的半导体材料制作，其放大原理主要取决于有源层的介质特性和激光腔的特性。
SOA 的结构相当于一个处于高增益状态下的无谐振腔的半导体激光器，放大器在泵浦电流或泵浦光作用下，粒子数反转获得光增益。以半导体材料为增益介质，利用受激辐射对进入增益介质的光信号进行直接放大。发光的媒介是非平衡载流子（电子空穴），它是以粒子数的反转来实现放大发光的。
SOA 因其噪声大、非线性强、饱和输出功率小、偏振敏感及波间串扰等固有缺点，在O波段单波长光信号放大场景中应用较为广泛。在多波光纤传输系统中被EDFA 替代。目前对
于多波系统的C 波段、C 扩展波段及L 波段的DWDM 系统，业界均在关注，目前也有研究机构进行了实验模型的尝试性研究与验证。
