E3EC HENF315125R1 零电压瞬间无法关断交流电

简介: E3EC HENF315125R1 零电压瞬间无法关断交流电

E3EC HENF315125R1 零电压瞬间无法关断交流电
晶闸管的功能缺陷是,像二极管一样,它只能单向导通,因此不能安全使用交流电流。一种类似的自锁5层器件,称为TRIAC能够在两个方向上工作。然而,这种增加的能力也可能成为不足。因为三端双向可控硅开关可以双向导通,反应的负载可能导致它在的零电压瞬间无法关断交流电(alternating current)动力循环。正因为如此,三端双向可控硅开关的使用(例如)感应的电机负载通常需要使用“缓冲器“三端双向可控硅开关周围的电路,以确保它将在主电源的每个半周期关闭。反向平行SCR也可以用来代替triac因为这对SCR中的每个SCR都有一个完整的反极性半周期,所以与三端双向可控硅开关不同,SCR肯定会关断。然而,这种安排的“代价”是增加了两个独立但本质上相同的门电路的复杂性。

功率MOSFETs和IGBTs
尽管晶闸管大量用于兆瓦级改正,矫正;[化工] 精馏;[电] 整流;[数] 求长从交流到DC,在中低功率(从几十瓦到几十千瓦)应用中,它们实际上已经被其他具有更好开关特性的器件所取代,如功率MOSFETs或者IGBTs。与SCR相关的一个主要问题是它们不是完全可控的开关。这GTO晶闸管和IGCT有两种与晶闸管相关的器件可以解决这个问题。在高频应用中,由于双极性传导产生的长开关时间,晶闸管是很差的候选器件。另一方面,MOSFETs具有更快的开关能力,因为它们的单极性传导(仅多数携带者携带电流)。E3EP HENF315276R1 (6).jpg

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